SBD是肖特基勢壘麻豆国产一区（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xie) 成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體(ti) 與(yu) N型半導體(ti) 接觸形成PN結原理製作的，而是利用金屬與(yu) 半導體(ti) 接觸形成的金屬－半導體(ti) 結原理製作的。因此，SBD也稱為(wei) 金屬－半導體(ti) （接觸）麻豆国产一区或表麵勢壘麻豆国产一区，它是一種熱載流子麻豆国产一区。

二、肖特基麻豆国产一区作用：

肖特基（Schottky）麻豆国产一区，又稱肖特基勢壘麻豆国产一区（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體(ti) 器件。最顯著的特點為(wei) 反向恢複時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅(jin) 0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流麻豆国产一区、續流麻豆国产一区、保護麻豆国产一区，也有用在微波通信等電路中作整流麻豆国产一区、小信號檢波麻豆国产一区使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。

一個(ge) 典型的應用，是在雙極型晶體(ti) 管 BJT 的開關(guan) 電路裏麵，通過在 BJT 上連接 Shockley 麻豆国产一区來箝位，使得晶體(ti) 管在導通狀態時其實處於(yu) 很接近截止狀態，從(cong) 而提高晶體(ti) 管的開關(guan) 速度。這種方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型數字 IC 的 TTL內(nei) 部電路中使用的技術。

肖特基（Schottky）麻豆国产一区的最大特點是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢複時間短。

三、肖特基麻豆国产一区的特點：

1）由於(yu) 肖特基勢壘高度低於(yu) PN結勢壘高度，故其正向導通門限電壓和正向壓降都比PN結麻豆国产一区低（約低0.2V）。

2）由於(yu) SBD是一種多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢複問題。SBD的反向恢複時間隻是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同於(yu) PN結麻豆国产一区的反向恢複時間。由於(yu) SBD的反向恢複電荷非常少，故開關(guan) 速度非常快，開關(guan) 損耗也特別小，尤其適合於(yu) 高頻應用。

3）它屬一種低功耗、超高速半導體(ti) 器件。最顯著的特點為(wei) 反向恢複時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅(jin) 0.4V左右。肖特基（Schottky）麻豆国产一区的最大特點是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢複時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏電流較大。其多用作高頻、低壓、大電流整流麻豆国产一区（比如開關(guan) 電源次極整流麻豆国产一区），續流麻豆国产一区、保護麻豆国产一区，也有用在微波通信等電路中作整流麻豆国产一区、小信號檢波麻豆国产一区使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。

四、肖特基麻豆国产一区應用：

它是一種低功耗、超高速半導體(ti) 器件，廣泛應用於(yu) 開關(guan) 電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流麻豆国产一区、續流麻豆国产一区、保護麻豆国产一区使用，或在微波通信等電路中作整流麻豆国产一区、小信號檢波麻豆国产一区使用。

五、肖特基麻豆国产一区工作原理：

肖特基麻豆国产一区是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為(wei) 正極，以N型半導體(ti) B為(wei) 負極，利用二者接觸麵上形成的勢壘具有整流特性而製成的金屬-半導體(ti) 器件。因為(wei) N型半導體(ti) 中存在著大量的電子，貴金屬中僅(jin) 有極少量的自由電子，所以電子便從(cong) 濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從(cong) B擴散到A，B表麵電子濃度逐漸降低，表麵電中性被破壞，於(yu) 是就形成勢壘，其電場方向為(wei) B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會(hui) 產(chan) 生從(cong) A→B的漂移運動，從(cong) 而消弱了由於(yu) 擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區後，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。

六、肖特基麻豆国产一区的封裝：

肖特基麻豆国产一区分為(wei) 有引線和表麵安裝（貼片式）兩(liang) 種封裝形式。 采用有引線式封裝的肖特基麻豆国产一区通常作為(wei) 高頻大電流整流麻豆国产一区、續流麻豆国产一区或保護麻豆国产一区使用。它有單管式和對管（雙麻豆国产一区）式兩(liang) 種封裝形式。肖特基對管又有共陰（兩(liang) 管的負極相連）、共陽（兩(liang) 管的正極相連）和串聯（一隻麻豆国产一区的正極接另一隻麻豆国产一区的負極）三種管腳引出方式。

采用表麵封裝的肖特基麻豆国产一区有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式，有A~19種管腳引出方式。

七、肖特基麻豆国产一区的特點：

1. 肖特基麻豆国产一区的正向壓降比快恢複麻豆国产一区正向壓降低很多，所以自身功耗較小，效率高。

2.由於(yu) 反向電荷恢複時間極短，所以適宜工作在高頻狀態下。

3.能耐受高浪湧電流。

4.以前的肖特基管反向耐壓一般在200V以下，但現在最新技術可以做到高達1000V的產(chan) 品，市場應用前景十分廣闊。

八、肖特基麻豆国产一区的參數

1、導通壓降VF

VF為(wei) 麻豆国产一区正向導通時麻豆国产一区兩(liang) 端的壓降，當通過麻豆国产一区的電流越大，VF越大;當麻豆国产一区溫度越高時，VF越小。

2、反向飽和漏電流IR

IR指在麻豆国产一区兩(liang) 端加入反向電壓時，流過麻豆国产一区的電流，肖特基麻豆国产一区反向漏電流較大，選擇肖特基麻豆国产一区是盡量選擇IR較小的麻豆国产一区。

3、額定電流IF

指麻豆国产一区長期運行時，根據允許溫升折算出來的平均電流值。

4. 最大浪湧電流IFSM

允許流過的過量的正向電流。它不是正常電流，而是瞬間電流，這個(ge) 值相當大。

5.最大反向峰值電壓VRM

即使沒有反向電流，隻要不斷地提高反向電壓，遲早會(hui) 使麻豆国产一区損壞。這種能加上的反向電壓，不是瞬時電壓，而是反複加上的正反向電壓。因給整流器加的是交流電壓，它的最大值是規定的重要因子。最大反向峰值電壓VRM指為(wei) 避免擊穿所能加的最大反向電壓。目前肖特基最高的VRM值為(wei) 150V。

6. 最大直流反向電壓VR

上述最大反向峰值電壓是反複加上的峰值電壓，VR是連續加直流電壓時的值。用於(yu) 直流電路，最大直流反向電壓對於(yu) 確定允許值和上限值是很重要的。

7.最高工作頻率fM

由於(yu) PN結的結電容存在，當工作頻率超過某一值時，它的單向導電性將變差。肖特基麻豆国产一区的fM值較高，最大可達100GHz。

8.反向恢複時間Trr

當工作電壓從(cong) 正向電壓變成反向電壓時，麻豆国产一区工作的理想情況是電流能瞬時截止。實際上，一般要延遲一點點時間。決(jue) 定電流截止延時的量，就是反向恢複時間。雖然它直接影響麻豆国产一区的開關(guan) 速度，但不一定說這個(ge) 值小就好。也即當麻豆国产一区由導通突然反向時，反向電流由很大衰減到接近IR時所需要的時間。大功率開關(guan) 管工作在高頻開關(guan) 狀態時，此項指標至為(wei) 重要。

9. 最大耗散功率P

麻豆国产一区中有電流流過，就會(hui) 吸熱，而使自身溫度升高。在實際中外部散熱狀況對P也是影響很大。具體(ti) 講就是加在麻豆国产一区兩(liang) 端的電壓乘以流過的電流加上反向恢複損耗
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