快恢複麻豆国产一区多用於高頻場合，常與可控功率半導體器件結合使用，反向恢複時間trr是指麻豆国产一区從導通狀態恢複到具有阻斷能力時所需要的時間。由於載流子的存在，移除這些載流子使麻豆国产一区開始具有阻斷能力需要一定的時間。在高達數百安培工作電流情況下。快恢複麻豆国产一区反向恢複時間隻需要幾個微秒。 快恢複麻豆国产一区另一個特別的特性是軟關斷，也稱為軟恢複。下麵給出了各種不同的麻豆国产一区類型的內部設計實現方法。
大多數的應用中負載呈感性，所以IGBT需要反並聯一個麻豆国产一区，這樣在IGBT關斷之後，可以給感性負載提供續流回路。否則，電感上的過電壓可能損壞IGBT。因此這樣的麻豆国产一区也被稱為續流麻豆国产一区(FWD)。
在電路拓撲中，麻豆国产一区的關斷特性依賴於IGBT的開關特性(如圖1所示的半橋結構，VD1和VD2分別受到VT2和VT1的影響)。由於麻豆国产一区隻有複合全部載流子後，才能夠重新具有全電壓阻斷能力，因此，快速開關IGBT會導致其對應的麻豆国产一区產生明顯的電流梯度di/dt和反向恢複電流。這樣，麻豆国产一区會產生不可忽略的瞬時反向過電流。
圖1 在感性負載中IGBT采用快恢複續流麻豆国产一区
IGBT在開通後，不僅要通過負載電流，還要給續流麻豆国产一区在關斷時產生的反向恢複電流提供回路。這個峰值電流很容易達到IGBT的安全工作區(SOA)，這樣IGBT的實際可用最大電流受到限製。根據IEC 60747-9標準，SOA定義了IGBT在開通狀態下的最高集電極電流IC。
即使在很好的散熱條件下，IGBT的工作電流也不得超過這個極限值。這個電流與IGBT在開
通和關斷時集電極和發射極之間的電壓Uce相關。通常是指Tc=25℃時，所可能流過的最大直流或者脈衝電流。
優化麻豆国产一区開關特性的目標就是能夠最大限度地利用IGBT的容量。一種方法是通過摻雜降低載流子的壽命。另一種方法是在製造過程中采用電子輻照的手段來減少反向恢複時間和降低反向恢複電流。但是這種方法會增加麻豆国产一区的正向導通壓降，也就是增加了非預期齲的通態損耗。特別是對於阻斷電壓超過1kV的功率麻豆国产一区來說，這種方法受到一定的限製。而且，載流子的壽命降低可能會導致反向恢複電流突然中斷，從而引起了電流的諧振和電磁兼容(EMC)問題，嚴重的可能會損壞麻豆国产一区。麻豆国产一区關斷過程中的電流中斷現象也被稱為“活躍”特性。
除了其他因索之外，追求軟恢複的設計方法推動了麻豆国产一区的研發。這類麻豆国产一区主要分為兩種均勻地降低P發射極效率(發射極控製麻豆国产一区)或者改變內部結構降低P發射極端率。這些技術常用於高功率的肖特基麻豆国产一区，因此也被稱作混合PIN肖特基(MPS)麻豆国产一区。MPS麻豆国产一区結構如圖2所示。與傳統的肖特基麻豆国产一区不同的是，MPS麻豆国产一区在金屬半導體結上增加了P型孤島構成了PIN型麻豆国产一区結構。
另一種方法是通過調整軸向載流子壽命以獲得期望的開關特性。這樣，複合中心需要植入到PN結內。這類麻豆国产一区被稱作軸向壽命控製技術(CAL)麻豆国产一区。
快恢複麻豆国产一区
圖2 碳化矽肖特基麻豆国产一区的兩種內部結構和電路符號(不成比例)
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