
肖特基麻豆国产一区是利用金屬-半導體接麵作為肖特基勢壘,以產生整流的效果,和一般麻豆国产一区中由半導體-半導體接麵產生的P-N接麵不同。肖特基勢壘的特性使得肖特基麻豆国产一区的導通電壓降較低,而且可以提高切換的速度。 肖特基二極體的導通電壓非常低。一般的麻豆国产一区在電流流過時,會產生約 0.7-1.7 伏特的電壓降,不過肖特基麻豆国产一区的電壓降隻有 0.15-0.45 伏特,因此可以提升係統的效率。
普通矽麻豆国产一区的耐壓可以做得較高,但是它的恢複速度低,隻能用在低頻的整流上,如果是高頻的就會因為無法快速恢複而發生反向漏電,最後導致管子嚴重發熱燒毀;肖特基麻豆国产一区的耐壓能常較低,但是它的恢複速度快,可以用在高頻場合,故開關電源采用此種麻豆国产一区作為整流輸出用,盡管如此,開關電源上的整流管溫度還是很高的。 快恢複麻豆国产一区是指反向恢複時間很短的麻豆国产一区(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結構上有采用PN結型結構,有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高於普通麻豆国产一区(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢複和超快恢複兩個等級。前者反向恢複時間為數百納秒或更長,後者則在100納秒以下。 肖特基麻豆国产一区是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的麻豆国产一区,簡稱肖特基麻豆国产一区(Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢複時間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低於150V,多用於低電壓場合。 這兩種管子通常用於開關電源。 肖特基麻豆国产一区和快恢複麻豆国产一区區別:前者的恢複時間比後者小一百倍左右,前者的反向恢複時間大約為幾納秒! 前者的優點還有低功耗,大電流,超高速~!電氣特性當然都是麻豆国产一区阿!快恢複麻豆国产一区在製造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢複麻豆国产一区主要應用在逆變電源中做整流元件。

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