快恢複麻豆国产一区的內部結構與普通PN結麻豆国产一区不同，它屬於PIN結型麻豆国产一区，即在P型矽材料與N型矽材料中間增加了基區I，構成PIN矽片。因基區很薄，反向恢複電荷很小，所以快恢複麻豆国产一区的反向恢複時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。
通常，5~20A的快恢複麻豆国产一区管采用TO–220FP塑料封裝，20A以上的大功率快恢複麻豆国产一区采用頂部帶金屬散熱片的TO–3P塑料封裝，5A以下的快恢複麻豆国产一区則采用DO–41、DO–15或DO–27等規格塑料封裝。
采用TO–220或TO–3P封裝的大功率快恢複麻豆国产一区，有單管和雙管之分。雙管的管腳引出方式又分為共陽和共陰。
1．性能特點
1）反向恢複時間
反向恢複時間tr的定義是：電流通過零點由正向轉換到規定低值的時間間隔。它是衡量高頻續流及整流器件性能的重要技術指標。反向恢複電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為最大反向恢複電流。Irr為反向恢複電流，通常規定Irr=0.1IRM。當t≤t0時，正向電流I=IF。當t＞t0時，由於整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓，因此正向電流迅速降低，在t=t1時刻，I=0。然後整流器件上流過反向電流IR，並且IR逐漸增大；在t=t2時刻達到最大反向恢複電流IRM值。此後受正向電壓的作用，反向電流逐漸減小，並在t=t3時刻達到規定值Irr。從t2到t3的反向恢複過程與電容器放電過程有相似之處。
2）快恢複、超快恢複麻豆国产一区的結構特點
快恢複麻豆国产一区的內部結構與普通麻豆国产一区不同，它是在P型、N型矽材料中間增加了基區I，構成P-I-N矽片。由於基區很薄，反向恢複電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢複麻豆国产一区的反向恢複時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢複麻豆国产一区的反向恢複電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。
20A以下的快恢複及超快恢複麻豆国产一区大多采用TO-220封裝形式。從內部結構看，可分成單管、對管（亦稱雙管）兩種。對管內部包含兩隻快恢複麻豆国产一区，根據兩隻麻豆国产一区接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C20-04型快恢複麻豆国产一区（單管）的外形及內部結構。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型（共陰對管）、MUR1680A型（共陽對管）超快恢複麻豆国产一区的外形與構造。它們均采用TO-220塑料封裝，
幾十安的快恢複麻豆国产一区一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量（幾百安～幾千安）的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。
2．檢測方法
1）測量反向恢複時間
測量電路如圖3。由直流電流源供規定的IF，脈衝發生器經過隔直電容器C加脈衝信號，利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時刻到IR=Irr時刻所經曆的時間。設器件內部的反向恢電荷為Qrr，有關係式：
trr≈2Qrr/IRM (5.3.1)
由式(5.3.1)可知，當IRM為一定時，反向恢複電荷愈小，反向恢複時間就愈短。
2）常規檢測方法
在業餘條件下，利用萬用表能檢測快恢複、超快恢複麻豆国产一区的單向導電性，以及內部有無開路、短路故障，並能測出正向導通壓降。若配以兆歐表，還能測量反向擊穿電壓。實例：測量一隻C90-02超快恢複麻豆国产一区，其主要參數為：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同圖(a)。將500型萬用表撥至R×1檔，讀出正向電阻為6.4Ω，n′=19.5格；反向電阻則為無窮大。進一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。證明管子是好的。
注意事項：
1）有些單管，共三個引腳，中間的為空腳，一般在出廠時剪掉，但也有不剪的。
2）若對管中有一隻管子損壞，則可作為單管使用。
3）測正向導通壓降時，必須使用R×1檔。若用R×1k檔，因測試電流太小，遠低於管子的正常工作電流，故測出的VF值將明顯偏低。在上麵例子中，如果選擇R×1k檔測量，正向電阻就等於2.2kΩ，此時n′=9格。由此計算出的VF值僅0.27V，遠低於正常值(0.6V)。
肖特基麻豆国产一区和快恢複麻豆国产一区又什麽區別
快恢複麻豆国产一区是指反向恢複時間很短的麻豆国产一区（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高於普通麻豆国产一区（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢複和超快恢複兩個等級。前者反向恢複時間為數百納秒或更長，後者則在100納秒以下。
肖特基麻豆国产一区是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的麻豆国产一区，簡稱肖特基麻豆国产一区(Schottky Barrier Diode），具有正向壓降低（0.4--0.5V）、反向恢複時間很短（10-40納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低於150V，多用於低電壓場合。
這兩種管子通常用於開關電源。
肖特基麻豆国产一区和快恢複麻豆国产一区區別：前者的恢複時間比後者小一百倍左右，前者的反向恢複時間大約為幾納秒~！
前者的優點還有低功耗，大電流，超高速~！電氣特性當然都是麻豆国产一区阿~！
快恢複麻豆国产一区在製造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢複麻豆国产一区主要應用在逆變電源中做整流元件。
肖特基麻豆国产一区：反向耐壓值較低40V-50V，通態壓降0.3-0.6V，小於10nS的反向恢複時間。它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的麻豆国产一区。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用矽或砷化镓，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由於肖特基麻豆国产一区中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限製，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。並且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基麻豆国产一区可以用來製作太陽能電池或發光麻豆国产一区。
快恢複麻豆国产一区：有0.8-1.1V的正向導通壓降，35-85nS的反向恢複時間，在導通和截止之間迅速轉換，提高了器件的使用頻率並改善了波形。快恢複麻豆国产一区在製造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢複麻豆国产一区主要應用在逆變電源中做整流元件。
快速恢複麻豆国产一区，顧名思義，是比普通麻豆国产一区PN結的單向導通閥門恢複快的麻豆国产一区！用途也很廣泛。
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