簡單解釋一下MOS場效應管的工作原理。

MOS 場效應管也被稱為MOSFET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金屬氧化物半導體場效應管）的縮寫。它普通有耗盡型和加強型兩種。本文運用的為加強型MOS 場效應管，其內部構造見圖5。它可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。由圖可看出，關於N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣關於P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。日韩国产成人曉得普通三極管是由輸入的電流控製輸出的電流。但關於場效應管，其輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控製，能夠以為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是日韩国产成人稱之為場效應管的緣由。

為解釋MOS 場效應管的工作原理，日韩国产成人先理解一下僅含有一個P—N結的麻豆国产一区的工作過程。如圖6所示，日韩国产成人曉得在麻豆国产一区加上正向電壓（P端接正極，N端接負極）時，麻豆国产一区導通，其PN結有電流經過。這是由於在P型半導體端為正電壓時，N型半導體內的負電子被吸收而湧向加有正電壓的P型半導體端，而P型半導體端內的正電子則朝N型半導體端運動，從而構成導通電流。同理，當麻豆国产一区加上反向電壓（P端接負極，N端接正極）時，這時在P型半導體端為負電壓，正電子被匯集在P型半導體端，負電子則匯集在N型半導體端，電子不挪動，其PN結沒有電流經過，麻豆国产一区截止。

關於場效應管（見圖7），在柵極沒有電壓時，由前麵剖析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時場效應管處與截止狀態（圖7a）。當有一個正電壓加在N溝道的MOS 場效應管柵極上時，由於電場的作用，此時N型半導體的源極和漏極的負電子被吸收出來而湧向柵極，但由於氧化膜的阻撓，使得電子匯集在兩個N溝道之間的P型半導體中（見圖7b），從而構成電流，使源極和漏極之間導通。日韩国产成人也能夠想像為兩個N型半導體之間為一條溝，柵極電壓的樹立相當於為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決議。圖8給出了P溝道的MOS 場效應管的工作過程，其工作原理相似這裏不再反複。

下麵簡述一下用C-MOS場效應管（加強型MOS 場效應管）組成的應用電路的工作過程（見圖9）。電路將一個加強型P溝道MOS場效應管和一個加強型N溝道MOS場效應管組合在一同運用。當輸入端為低電平常，P溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平常，N溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應管和N溝道MOS場效應管總是在相反的狀態下工作，其相位輸入端和輸出端相反。經過這種工作方式日韩国产成人能夠取得較大的電流輸出。同時由於漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小於1到2V時，MOS場效應管既被關斷。不同場效應管其關斷電壓略有不同。也正由於如此，

使得該電路不會由於兩管同時導通而形成電源短路。

由以上剖析日韩国产成人能夠畫出原理圖中MOS場效應管電路局部的工作過程。
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