麻豆国产一区概述
麻豆国产一区的作用，麻豆国产一区，電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，隻允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容麻豆国产一区（Varicap Diode）則用來當作電子式的可調電容器。大部分麻豆国产一区所具備的電流方向性日韩国产成人通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。麻豆国产一区最普遍的功能就是隻允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，麻豆国产一区可以想成電子版的逆止閥。
早期的真空電子麻豆国产一区；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體麻豆国产一区內部有一個PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。一般來講，晶體麻豆国产一区是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界麵。在其界
麵的兩側形成空間電荷層，構成自建電場。當外加電壓等於零時，由於p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態，這也是常態下的麻豆国产一区特性。
早期的麻豆国产一区包含“貓須晶體（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英國稱為“熱遊離閥（Thermionic Valves）”)。現今最普遍的麻豆国产一区大多是使用半導體材料如矽或鍺。
麻豆国产一区的工作原理
晶體麻豆国产一区為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界麵處兩側形成空間電荷層，並建有自建電場。當不存在外加電壓時，由於p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。
當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。
當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓範圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。
當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為麻豆国产一区的擊穿現象。
麻豆国产一区的作用
麻豆国产一区的作用具體情況如下：
1、整流麻豆国产一区
利用麻豆国产一区單向導電性，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動直流電。
2、開關元件
麻豆国产一区在正向電壓作用下電阻很小，處於導通狀態，相當於一隻接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處於截止狀態，如同一隻斷開的開關。利用麻豆国产一区的開關特性，可以組成各種邏輯電路。
3、限幅元件
麻豆国产一区正向導通後，它的正向壓降基本保持不變（矽管為0.7V，鍺管為0.3V）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限製在一定範圍內。
4、繼流麻豆国产一区
在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起繼流作用。
5、檢波麻豆国产一区
在收音機中起檢波作用。
6、變容麻豆国产一区
使用於電視機的高頻頭中。
續流麻豆国产一区的作用與特性
續流麻豆国产一区的作用如下：快恢複麻豆国产一区主要用作續流麻豆国产一区，與快速開關三極管並聯後麵帶感性負載，如Buck，Boost變換器的電感、變壓器和電機，這些電路大部分是用恒脈脈寬調製控製，感性負載決定了流過續流麻豆国产一区的電流是連續的，三極管開通時，續流支路要截止以防短路，下麵例子給出了三極管與續流麻豆国产一区的相互作用。
圖1是簡化的Buck電路。其輸出電壓Vout低於輸入電壓Vin。圖2是T1的控製信號和T1，D1的電壓、電流波形。有源器件T1，D1的開通關斷相位如下：
T0時刻T1有開通信號。輸入電壓Vin加在L，Cout的串聯支路，使iL線性增加。電感L和Vout決定電流，過一段時間後控製器使T1關斷，在斷續工作時，電感L儲能(W=0.5LiL2)通過續流支路傳送到Cout。在t2時刻T1再次開通，整個過程重複。
麻豆国产一区的開關過程可分為四部分:
A.T1導通時麻豆国产一区阻斷;
B.阻斷到導通時間；開通；
C.T1關斷，麻豆国产一区導通；
D.導通到關斷瞬間；關斷。
A. 阻斷
MOFET導通時，麻豆国产一区兩端的反壓是Vin。與所有的半導體一樣，麻豆国产一区的陽極到陰極有一個小電流(耐電流IR)，漏電流由阻斷電壓，麻豆国产一区芯片工作溫度和麻豆国产一区製作技術決定。反向電壓導致的總功率損耗是：
PSP=VIN·IR
B. 開通
三極管T1關斷瞬間，電感電流iL保持不變。麻豆国产一区兩端電壓逐漸減小，電流逐漸上升。D1的電流上升時間等於T1的電流下降時間。關斷時在pn結存儲的大量電荷被載流子帶走，使得電流上升時pn結的電阻減小，麻豆国产一区開通時有電壓尖峰，由芯片溫度、-diF/dt和芯片工藝決定。
正向電壓尖峰與反向電壓相比很小(<50V)，應用時不影響麻豆国产一区的工作(圖7中的D1波形)。但是麻豆国产一区的開通電壓尖峰增加了三極管的電壓應力和關斷損耗。
電壓尖峰VFR決定了麻豆国产一区的開通捌耗。這些損耗隨開關頻率線性增加。
C. 通態
一且開通過程結束。麻豆国产一区導通正向電流lF，pn結的門限電壓和半導體的電阻決定正向壓降VF。這個電壓由芯片溫度、正向電流IF和製造工藝決定。
利用數據手冊中的VTO和rT可以計算正向壓降和通態損耗。
圖3所示正向壓降的簡化模型是：
VF=rT·IF+VTO
相應的通態損耗是：
計算出來的損耗隻是近似值，因為VTO和rT隨溫度變化，而給出的隻是在一定溫度下(TVJM的參考值。
D. 關斷
與通態特性不同，高頻應用時麻豆国产一区的選擇是否合適主要取決於關斷特性的參數，三極管開通時，電流IF的變化率等於三極管電流上升率di/dt。如果使用MOSFET或IGBT，其-diF/dt很容易超過1000A/μs。前麵提到，麻豆国产一区恢複阻斷能力前必須去除通態時存儲在pn結的載流子。這就會產生反向恢複電流，其波形取決於芯片溫度、正向電流IF，-diF/dt和製造工藝。
圖4是正向特性相同的金摻雜和鉑摻雜外延型麻豆国产一区不同溫度下的反向恢複電流。
相同溫度下不同製造工藝的麻豆国产一区的反向恢複特性明顯不同。
鉑摻雜麻豆国产一区反向恢複電流的減小速度很快(圖5(b))，可控少數載流子的金摻雜麻豆国产一区的恢複特性較軟(圖5(a))。
恢複電流減小得很快，線路中分布電感導致的電壓尖峰越高。如果最大電壓超過三極管的耐壓值，就必須使用吸收電路以保障設備的安全工作。而且過高的du/dt會導致EMI/RFI問題，在RFI受限的地方要使用複雜的屏蔽。
麻豆国产一区的反向恢複電流不僅會增加麻豆国产一区的關斷損耗。還會增加三極管的開通損耗，因為它也是麻豆国产一区的反向電流。圖6(a)和(b)表明三極管開通電流是電感電流加上麻豆国产一区的反向恢複電流，而且開通時間受trr影響會增大。
圖6(a)和(b)重點說明軟恢複特性時低恢複電流的好處。首先，軟恢複特性的金摻雜麻豆国产一区的電壓尖峰較小和反向恢複電流較小。因此麻豆国产一区有低關斷損耗。其次，低反向恢複電流可減小三極管的開通損耗。因此，麻豆国产一区的選擇直接決定了兩個器件的功率損耗。
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