mos電機驅動
（一）電機驅動
mos電機驅動電路首先，單片機能夠輸出直流信號，但是它的驅動才能也是有限的，所以單片機普通做驅動信號，驅動大的功率管如Mos管，來產生大電流從而驅動電機，且占空比大小能夠經過驅動芯片控製加在電機上的均勻電壓到達轉速調理的目的。電機驅動主要采用N溝道MOSFET構建H橋驅動電路，H 橋是一個典型的直流電機控製電路，由於它的電路外形酷似字母 H，故得名曰“H 橋”。4個開關組成H的4條垂直腿，而電機就是H中的橫杠。要使電機運轉，必需使對角線上的一對開關導通，經過不同的電流方向來控製電機正反轉，
（二）H橋驅動原理
實踐mos電機驅動電路中通常要用硬件電路便當地控製開關，電機驅動板主要采用兩種驅動芯片，一種是全橋驅動HIP4082，一種是半橋驅動IR2104，半橋電路是兩個MOS管組成的振蕩，全橋電路是四個MOS管組成的振蕩。其中，IR2104型半橋驅動芯片能夠驅動高端和低端兩個N溝道MOSFET，能提供較大的柵極驅動電流，並具有硬件死區、硬件防同臂導通等功用。運用兩片IR2104型半橋驅動芯片能夠組成完好的直流電機H橋式驅動電路，而且IR2104價錢低廉，功用完善，輸出功率相對HIP4082較低，此計劃采用較多。
另外，由於驅動電路可能會產生較大的回灌電流，為避免對單片機產生影響，最好用隔離芯片隔離，隔離芯片選取有很多方式，如2801等，這些芯片常做控製總線驅動器，作用是進步驅動才能，滿足一定條件後，輸出與輸入相同，可停止數據單向傳輸，即單片機信號能夠到驅動芯片，反過來不行。
mos電機驅動電路設計
針對不同的電機，日韩国产成人應該選擇與之相對應的驅動。簡單地來說，功率大的電機應該選用內阻小、電流容許大的驅動，功率小的電機就可以選用較低功率的驅動。電機驅動較常規的方法是采用 PWM 控製。
（一）采用集成電機驅動芯片
通過mos電機驅動電路模塊控製驅動電機兩端電壓來對電機進行製動，日韩国产成人可以采用飛思卡爾半導體公司的集成橋式驅動芯片 MC33886。MC33886 最大驅動電流為 5A，導通電阻為 140 毫歐姆，PWM 頻率小於 10KHz，具有短路保護、欠壓保護、過溫保護等功能。體積小巧，使用簡單，但由於是貼片的封裝，散熱麵積比較小，長時間大電流工作時，溫升較高，如果長時間工作必須外加散熱器，而且 MC33886的工作內阻比較大，又有高溫保護回路，使用不方便。
下麵，著重介紹日韩国产成人在平時設計驅動電路時最常用的驅動電路。半橋驅動芯片 BTS7960 搭成全橋驅動。其驅動電流約 43A，而其升級產品 BTS7970 驅動電流能夠達到 70 幾安培！而且也有其可替代產品 BTN7970，它的驅動電流最大也能達七十幾安！
其內部結構基本相同如下：
每片芯片的內部有兩個 MOS 管，當 IN 輸入高電平時上邊的 MOS 管導通，常稱為高邊 MOS 管，當 IN 輸入低電平時，下邊的 MOS 管導通，常稱為低邊 MOS管；當 INH 為高電平時使能整個芯片，芯片工作；當 INH 為低電平時，芯片不工作。
其典型運用電路圖如下圖所示：
INH一般使用時,日韩国产成人直接接高電平，使整個電路始終處於工作狀態。
下麵就是怎麽樣用該電路使得電機正反轉？假如當PWM1端輸入PWM波，PWM2端置0,電機正轉；那麽當 PWM1端為0,PWM2端輸入PWM 波時電機將反轉！使用此方法需要兩路PWM信號來控製一個電機！其實可以隻用一路 PWM 接 PWM1 端，另外 PWM2 端可以接在 IO 端口上，用於控製方向！假如 PWM2=0，PWM1 輸入信號時電機正轉；那麽當 PWM2=1是，PWM1 輸入信號電機反轉（必須注意：此時PWM信號輸入的是其對應的負占空比）！
以上的電路，對於普通功率的底盤，其驅動電流已經能夠滿足，但是對於更大功率的底盤，可能有點吃力。尤其是當日韩国产成人加的底盤在不停的加減速時，這就需要電機不停的正反轉，此時的電流很大，還用以上的驅動電路，芯片會很燙！！這個時候就需要日韩国产成人自己用 MOSFET 和柵極驅動芯片自己設計 H 橋！
（二）大功率 MOS 管組成電機驅動電路
用這個方法電路非常簡單，控製隻需要一路PWM，在管子上消耗的電能也比較少，可以有效地避免多片MC33886 並聯時由於芯片分散性導致的驅動芯片某些片發熱某些不發熱的現象。但是缺點是不能控製電機的電流方向，在小車的刹車的性能的提升上明顯有弱勢，而且電流允許值也比較小。
當日韩国产成人按照下圖接線時，也就是兩路PWM輸入組成H橋，則可以通過控製PWM1和PWM2的相對大小控製電流的方向，從而控製電機的轉向。
電動機控製器中MOS的作用
功率mos在電動車控製器中的作用非常重要就不多說了，簡單來講mos的輸出電流就是用來驅動電機。電流輸出越大（為了防止過流燒壞mos，控製器有做限流保護），電機扭矩就強，加速就有力（電機磁飽和前扭矩和相電流成正比）。
mos在控製器電路中的工作狀態。開通過程（由截止到導通的過渡過程），導通狀態，關斷過程（由導通到截止的過渡過程），截止狀態，還有一非正常狀態，擊穿狀態（小能量電流脈衝往往是可恢複擊穿，即mos不會損壞）。
Mos主要損耗也對應這幾個狀態，開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。隻要把這些損耗控製在mos承受規格之內，mos即會正常工作，超出承受範圍，即發生損壞。而開關損耗往往大於導
通狀態損耗（不同mos這個差距可能很大），尤其是pwm沒完全打開，處於脈寬調製狀態時（對應電動車的起步加速狀態），而最高急速狀態往往是導通損耗為主。
Mos損壞主要原因：過流，大電流引起的高溫損壞（分持續大電流和瞬間超大電流脈衝導致結溫超過承受值）；過壓，源漏級大於擊穿電壓而擊穿；柵極擊穿，一般由於柵極電壓受外界或驅動電路損壞超過允許最高電壓（柵極電壓一般需低於20v安全）以及靜電損壞。
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