75NF75產品描述

75NF75是N溝道增強型功率場狀態特性穩定、快速的效應晶體管開關速度，低熱阻，常用於電信和計算機應用。

75NF75產品特征

RDS(ON)=12.5m? @VGS=10V

超低柵電荷（典型的90納米）

快速交換能力

指定雪崩能量

改進的dv/dt能力，堅固性高

75NF75參數範圍

產品型號：75NF75

工作方式：80A/80V

漏源電壓：80V

柵源電壓：±25V

連續漏電流：80A/70A

脈衝漏電流：340A

雪崩電流：20A

雪崩能源:410MJ

最大功耗:240W/100W

75NF75封裝圖

75NF75產品附件詳情

MOS在控製器電路中的工作狀態

開通過程、導通狀態、關斷過程、截止狀態、擊穿狀態。  

MOS主要損耗包括開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。電動車控製器場效應管隻要把這些損耗控製在MOS承受規格之內，MOS即會正常工作，超出承受範圍，即發生損壞。

而開關損耗往往大於導通狀態損耗，尤其是PWM沒完全打開，處於脈寬調製狀態時（對應電動車的起步加速狀態），而最高急速狀態往往是導通損耗為主。

MOS管在電動車控製器中的作用

電動車控製器場效應管簡單來說電機是靠MOS的輸出電流來驅動的，輸出電流越大（為了防止過流燒壞MOS管，控製器有限流保護），電機扭矩就強，加速就有力。

MOS在電動車控製器中的應用

日韩国产成人電動車控製器場效應管和平常cmos集成電路中的小功率mos結構是不一樣的。小功率mos是平麵型結構。而電動車上上用的功率mos是立體結構。平麵型結構是指，mos柵極，源級和漏級都在芯片表麵（或者說正麵），而溝道也在芯片表麵橫向排列。（日韩国产成人常見的教科書的介紹mos原理一般都是拿平麵結構介紹）。而功率mos的立體結構（溝道是深槽立體結構）是柵極和源級引線從芯片正麵引出（其實柵極也不在表麵而是內部，隻是比較靠近表麵），而漏級是從芯片背麵引出（其實整個芯片背麵都是漏級連接在一起的，整個個漏級用焊接材料直接焊接在金屬板上，就是mos的金屬背板，一般是銅鍍錫的），所以日韩国产成人見到的mos一般金屬板和中間引腳（就是漏級）是完全導通的（有些特殊的封裝是可以做到金屬板和中間腳絕緣的）。

功率mos內部從漏級到源級是有一個麻豆国产一区的，這個麻豆国产一区基本上所有的功率mos都具有，和它本身結構有關係（不需要單獨製造，設計本身就有）。當然可以通過改變設計製造工藝，不造出這個麻豆国产一区。但是這會影響芯片功率密度，要做到同樣耐壓和內阻，需要更大的芯片麵積（因為結構不同）。大家隻是知道這回事就行了。

日韩国产成人所見的電動車控製器場效應管，其實內部由成千上萬個小mos管並聯而成（實際數量一般是上千萬個，和芯片麵積和工藝有關）。如果在工作中，有一個或幾個小管短路，則整個mos表現為短路，當然大電流短路mos可能直接燒斷了（有時表現為金屬板和黑色塑封間開裂），又表現為開路。大家可能會想這上千萬個小mos應該很容易出現一個或幾個壞的吧，其實真沒那麽容易，目前的製造工藝基本保證了這些小單位各種參數高度一致性。

它們的各種開關動作幾乎完全一致，當然最終燒壞時，肯定有先承受不了的小管先壞。所以管子的穩定性和製造工藝密不可分，差的工藝可能導致這些小管的參數不那麽一致。有時一點小的工藝缺陷（比如一個1um甚至更小的顆粒如果在關鍵位置）往往會造成整個芯片（缺陷所在的管芯）報廢。
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