什麽是麻豆国产一区

麻豆国产一区，（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，隻允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容麻豆国产一区（Varicap Diode）則用來當作電子式的可調電容器。大部分麻豆国产一区所具備的電流方向性日韩国产成人通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。麻豆国产一区最普遍的功能就是隻允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，麻豆国产一区可以想成電子版的逆止閥。

早期的真空電子麻豆国产一区；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體麻豆国产一区內部有一個PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。一般來講，晶體麻豆国产一区是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界麵。在其界麵的兩側形成空間電荷層，構成自建電場。當外加電壓等於零時，由於p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態，這也是常態下的麻豆国产一区特性。

早期的麻豆国产一区包含“貓須晶體（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英國稱為“熱遊離閥（Thermionic Valves）”)。現今最普遍的麻豆国产一区大多是使用半導體材料如矽或鍺。

什麽是三極管

三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控製電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關。晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。

麻豆国产一区和三極管的區別

一、工作原理區別

麻豆国产一区工作原理

晶體麻豆国产一区為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結，在其界麵處兩側形成空間電荷層，並建有自建電場。當不存在外加電壓時，由於pn結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓範圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，pn結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為麻豆国产一区的擊穿現象。pn結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。

三極管工作原理

理論原理

晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和矽管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是矽NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N是負極的意思（代表英文中Negative），N型半導體在高純度矽中加入磷取代一些矽原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代矽，產生大量空穴利於導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下麵僅介紹NPN矽管的電流放大原理。

對於NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,而集電區與基區形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。如下圖所示

當b點電位高於e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而C點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源Ec要高於基極電源Eb。

在製造三極管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大於基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控製雜質含量，這樣，一旦接通電源後，由於發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大於後者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流子。

由於基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電極電流Ic，隻剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行複合，被複合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo.根據電流連續性原理得：

Ie=Ib+Ic

這就是說，在基極補充一個很小的Ib，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關係，即：

β1=Ic/Ib

式中：β1--稱為直流放大倍數，

集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為：

β= △Ic/△Ib

式中β--稱為交流電流放大倍數，由於低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。

α1=Ic/Ie(Ic與Ie是直流通路中的電流大小)

式中：α1也稱為直流放大倍數，一般在共基極組態放大電路中使用，描述了射極電流與集電極電流的關係。

α =△Ic/△Ie

表達式中的α為交流共基極電流放大倍數。同理α與α1在小信號輸入時相差也不大。

對於兩個描述電流關係的放大倍數有以下關係

三極管的電流放大作用實際上是利用基極電流的微小變化去控製集電極電流的巨大變化。  

三極管是一種電流放大器件，但在實際使用中常常通過電阻將三極管的電流放大作用轉變為電壓放大作用。

放大原理

1、發射區向基區發射電子

電源Ub經過電阻Rb加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子(自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流Ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由於多數載流子濃度遠低於發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發射結主要是電子流。

2、基區中電子的擴散與複合

電子進入基區後，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴複合，擴散的電子流與複合電子流之比例決定了三極管的放大能力。

3、集電區收集電子

由於集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流Icn。另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區形成反向飽和電流，用Icbo來表示，其數值很小，但對溫度卻異常敏感。

二、麻豆国产一区、三極管結構類型區別

1、三極管

晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把正塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種，

從三個區引出相應的電極，分別為基極b發射極e和集電極c。

發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電結。基區很薄，而發射區較厚，雜質濃度大，PNP型三極管發射區"發射"的是空穴，其移動方向與電流方向一致，故發射極箭頭向裏；NPN型三極管發射區"發射"的是自由電子，其移動方向與電流方向相反，故發射極箭頭向外。發射極箭頭向外。發射極箭頭指向也是PN結在正向電壓下的導通方向。矽晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。

三極管的封裝形式和管腳識別

常用三極管的封裝形式有金屬封裝和塑料封裝兩大類，引腳的排列方式具有一定的規律，

底視圖位置放置，使三個引腳構成等腰三角形的頂點上，從左向右依次為e b c；對於中小功率塑料三極管按圖使其平麵朝向自己，三個引腳朝下放置，則從左到右依次為e b c。

國內各種類型的晶體三極管有許多種，管腳的排列不盡相同，在使用中不確定管腳排列的三極管，必須進行測量確定各管腳正確的位置，或查找晶體管使用手冊，明確三極管的特性及相應的技術參數和資料。

2、三極管

半導體麻豆国产一区主要是依靠PN結而工作的。與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的麻豆国产一区的範圍內。包括這兩種型號在內，根據PN結構造麵的特點，把晶體麻豆国产一区分類如下：

點接觸型

點接觸型麻豆国产一区是在鍺或矽材料的單晶片上壓觸一根金屬針後，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用於高頻電路。但是，與麵結型相比較，點接觸型麻豆国产一区正向特性和反向特性都差，因此，不能使用於大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。

麵接觸型

麵接觸型或稱麵積型麻豆国产一区的PN結是用合金法或擴散法做成的，由於這種麻豆国产一区的PN結麵積大，可承受較大電流，但極間電容也大。這類器件適用於整流，而不宜用於高頻率電路中。

鍵型

鍵型麻豆国产一区是在鍺或矽的單晶片上熔金或銀的細絲而形成的。其特性介於點接觸型麻豆国产一区和合金型麻豆国产一区之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型麻豆国产一区的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優良。多作開關用，有時也被應用於檢波和電源整流（不大於50mA）。在鍵型麻豆国产一区中，熔接金絲的麻豆国产一区有時被稱金鍵型，熔接銀絲的麻豆国产一区有時被稱為銀鍵型。

合金型

在N型鍺或矽的單晶片上，通過加入合金銦、鋁等金屬的方法製作PN結而形成的。正向電壓降小，適於大電流整流。因其PN結反向時靜電容量大，所以不適於高頻檢波和高頻整流。

擴散型

在高溫的P型雜質氣體中，加熱N型鍺或矽的單晶片，使單晶片表麵的一部變成P型，以此法PN結。因PN結正向電壓降小，適用於大電流整流。最 近，使用大電流整流器的主流已由矽合金型轉移到矽擴散型。

台麵型

PN結的製作方法雖然與擴散型相同，但是，隻保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩餘的部分便呈現出台麵形，因而得名。初期生產的台麵型，是對半導體材料使用擴散法而製成的。因此，又把這種台麵型稱為擴散台麵型。對於這一類型來說，似乎大電流整流用的產品型號很少，而小電流開關用的產品型號卻很多。

平麵型

在半導體單晶片（主要地是N型矽單晶片）上，擴散P型雜質，利用矽片表麵氧化膜的屏蔽作用，在N型矽單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結麵積的藥品腐蝕作用。由於半導體表麵被製作得平整，故而得名。並且，PN結合的表麵，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。最初，對於被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平麵型稱為外延平麵型。對平麵型麻豆国产一区而言，似乎使用於大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。

合金擴散型

它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以製作的材料通過巧妙地摻配雜質，就能與合金一起過擴散，以便在已經形成的PN結中獲得雜質的恰當的濃度分布。此法適用於製造高靈敏度的變容麻豆国产一区。

外延型

用外延麵長的過程製造PN結而形成的麻豆国产一区。製造時需要非常高超的技術。因能隨意地控製雜質的不同濃度的分布，故適宜於製造高靈敏度的變容麻豆国产一区。

肖特基

基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型矽片）的接觸麵上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度隻有40V左右。其特長是：開關速度非常快：反向恢複時間trr特別地短。因此，能製作開關麻豆国产一区和低壓大電流整流麻豆国产一区。

三、麻豆国产一区、三極管其他區別

晶體麻豆国产一区在電路中常用“D”加數字表示，如： D5表示編號為5的麻豆国产一区。

1、作用：麻豆国产一区的主要特性是單向導電性，也就是在正向電壓的作用下，導通電阻很小；而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。正因為麻豆国产一区具有上述特性，無繩電話機中常把它用在整流、隔離、穩壓、極性保護、編碼控製、調頻調製和靜噪等電路中。

電話機裏使用的晶體麻豆国产一区按作用可分為：整流麻豆国产一区（如1N4004）、隔離麻豆国产一区（如1N4148）、肖特基麻豆国产一区（如BAT85）、發光麻豆国产一区、穩壓麻豆国产一区等。

2、識別方法：麻豆国产一区的識別很簡單，小功率麻豆国产一区的N極（負極），在麻豆国产一区外表大多采用一種色圈標出來，有些麻豆国产一区也用麻豆国产一区專用符號來表示P極（正極）或N極（負極），也有采用符號標誌為“P”、“N”來確定麻豆国产一区極性的。發光麻豆国产一区的正負極可從引腳長短來識別，長腳為正，短腳為負。

3、測試注意事項：用數字式萬用表去測麻豆国产一区時，紅表筆接麻豆国产一区的正極，黑表筆接麻豆国产一区的負極，此時測得的阻值才是麻豆国产一区的正向導通阻值，這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。

晶體三極管在電路中常用“Q”加數字表示，如：Q17表示編號為17的三極管。

1、特點：晶體三極管（簡稱三極管）是內部含有2個PN結，並且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型兩種類型，這兩種類型的三極管從工作特性上可互相彌補，所謂OTL電路中的對管就是由PNP型和NPN型配對使用。

電話機中常用的PNP型三極管有：A92、9015等型號；NPN型三極管有：A42、9014、9018、9013、9012等型號。

2、晶體三極管主要用於放大電路中起放大作用，在常見電路中有三種接法。
烜芯微專業製造二三極管,MOS管，20年，工廠直銷省20%，1500家電路電器生產企業選用，專業的工程師幫您穩定好每一批產品，如果您有遇到什麽需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹