mos管場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等於它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市麵上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。
一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化矽來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。
MOS管二級效應
MOS管的二級效應主要有三種：背柵效應、溝道長度調製效應、亞閾值效應。
背柵效應
在很多情況下，源極和襯底的電位並不相同。對NMOS管而言，襯底通常接電路的最低電位，有VBS≤0；對PMOS管而言，襯底通常接電路的最高電位，有VBS≥0。這時，MOS管的閾值電壓將隨其源極和襯底之間電位的不同而發生變化。這一效應稱為“背柵效應”。
以NMOS管為例，當NMOS管VBS<0時，閾值電壓的變化規律。隨著VGS上升，柵極吸引襯底內部的電子向襯底表麵運動，並在襯底表麵產生了耗盡層。當VGS上升到一定的電壓——閾值電壓時，柵極下的襯底表麵發生反型，NMOS管在源漏之間開始導電。
閾值電壓的大小和耗盡層的電荷量有關，耗盡層的電荷量越多，NMOS管的開啟就越困難，閾值電壓——也就是開啟NMOS需要的電壓就越高。當VBS<0時，柵極和襯底之間的電位差加大，耗盡層的厚度也變大，耗盡層內的電荷量增加，所以造成閾值電壓變大。隨著VBS變小，閾值電壓上升，在VGS和VDS不變的情況下，漏極電流變小。因而襯底和柵極的作用類似，也能控製漏極電流的變化。所以日韩国产成人稱它為“背柵”作用。
在電路設計上可采取一些措施來減弱或消除襯偏效應，例如把源極和襯底短接起來，當然可以消除襯偏效應的影響，但是這需要電路和器件結構以及製造工藝的支持，並不是在任何情況下都能夠做得到的。例如，對於p阱CMOS器件，其中的n-MOSFET可以進行源-襯底短接，而其中的p-MOSFET則否；對於n阱CMOS器件，其中的p-MOSFET可以進行源-襯底短接，而其中的n-MOSFET則否。
另外可以改進電路結構來減弱襯偏效應。例如，對於CMOS中的負載管，若采用有源負載來代替之，即可降低襯偏調製效應的影響（因為當襯偏效應使負載管的溝道電阻增大時,有源負載即提高負載管的VGS來使得負載管的導電能力增強）。
溝道長度調製效應
MOS晶體管中,柵下溝道預夾斷後、若繼續增大Vds，夾斷點會略向源極方向移動。導致夾斷點到源極之間的溝道長度略有減小，有效溝道電阻也就略有減小，從而使更多電子自源極漂移到夾斷點，導致在耗盡區漂移電子增多,使Id增大，這種效應稱為溝道長度調製效應。
當MOS管工作在飽和區，導電溝道產生夾斷，溝道的長度從L變成了L’，L’
此時電流公式改寫為：
日韩国产成人采用一個簡單的參數λ來表示VDS對漏極電流ID的影響，定義：
由此可以得到考慮了溝道長度調製效應的MOS管飽和區的電流公式：
由於λ∝1/L，對於長溝道的器件而言（例如L>10um）， λ的數值很小，λVDS<<1，所以這個誤差可以忽略。而溝道越短，這個誤差就越大。事實上，對於短溝道的MOS管，用一個簡單的參數λ來體現溝道長度調製效應是非常不準確的。因而日韩国产成人有時會發現，電路
電路仿真的結果和用公式計算出來的結果完全不同。所以說一階的近似公式更主要的是起到電路設計的指導作用。
亞閾值效應
在前麵對MOS管導電原理的分析中，日韩国产成人認為當柵源電壓VGSVTH，溝道內就出現了電流。而實際情況並不是這樣。即使在VGS
來表示。其中ID0是和工藝有關的參數，η是亞閾值斜率因子，通常滿足1<η<3。當VGS滿足
的條件時，一般認為MOS管進入了亞閾值區域.
的條件時，一般認為MOS管進入了亞閾值區域.當
時，稱MOS管工作在強反型區。
時，稱MOS管工作在強反型區。當
時，時稱MOS管工作在強反型區。
時，時稱MOS管工作在強反型區。強反型區和弱反型區的劃分其實也是對MOS管實際工作特定的一種近似，隻是它比前麵講到的MOS管的一階近似更加準確。從公式上分析，強反型區和弱反型區之間同樣存在著電流不連續的問題。為了解決這一問題，也是為了建立更精確的MOS管模型，在這兩個區之間又定義了中等反型區。
對於斜率因子η的解釋要從MOS管的電流變化講起。表征亞閾值特性的一個重要參數是柵極電壓的變化幅度，也就是MOS管從電流導通到電流截止時所需要的柵極電壓的變化量。這一特性用亞閾值斜率S來表示。S定義為亞閾值電流每變化10倍（一個數量級）所要求柵極電壓的變化量。S越小意味著MOS管的關斷性能越好。
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