肖特基麻豆国产一区具有良好的反向恢複特性，但是其擊穿電壓較低；傳統PIN麻豆国产一区具有較高的擊穿電壓，但其反向恢複特性差。因此，將兩者優點結合的MPS麻豆国产一区應運而生，其結構示意圖如圖1所示：
MPS麻豆国产一区結構示意圖
圖1 MPS麻豆国产一区結構示意圖由圖1可知，MPS麻豆国产一区的陽極由肖特基結和PN結所組成，其中肖特基寬度較窄。正向導通時，由於肖特基結勢壘較低，正向電流首先從肖特基勢壘流入，之後P+區逐漸向基區注入空穴以產生電導調製效應以降低基區電阻從而降低正向導通壓降。反向耐壓時，由於肖特基結寬度較窄，以至於它被P+N-的耗盡區所屏蔽，因此避免了肖特基結較大的漏電流，從而保證了一個較高的反向擊穿電壓。
與傳統的PIN麻豆国产一区相比，MPS麻豆国产一区表現出良好的正向導通特性與反恢複時間之間的平衡。但同時，MPS難以在需求高反向擊穿電壓的情況下使用。
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