得到必要的參數有助於對功率損耗有一個大概的了解。選擇好合適的器件之後，最好測一下它的動態損耗，來驗證理論假設的正確性。

表1中的結果是通過在相同的工作條件下測量出來的，這樣日韩国产成人就可以直接對這幾種不同類型的麻豆国产一区進行比較。

表1測試麻豆国产一区的靜態及動態參數

測試麻豆国产一区的靜態及動態參數 

有了測量值和計算值以後，我麽就可以根據給定的設計參數選擇適宜的麻豆国产一区。根據麻豆国产一区的功率損耗計算方式式和表2中的數值，圖1給出了麻豆国产一区的總功率損耗和開關頻率的關係曲線。從圖中可以看出，開關頻率大於50kHz時，串聯型麻豆国产一区的損耗最低。100kHz時，DSEP 9-06CR的損耗隻有單個芯片麻豆国产一区的80%。因此為了提高整個電路的效率，日韩国产成人可以選擇串聯型麻豆国产一区。

圖2給出了最大允許溫度和開關頻率的關係曲線，同樣應用了表1中的數值。結溫被設定在150℃，這個溫度要低於IXYS HiPerFRED麻豆国产一区的最高溫度175℃。尺寸最大的麻豆国产一区(DSEP30-06B)需要最低的散熱條件，因此當周圍溫度比較高，散熱有問題的時侯，這種麻豆国产一区比較適用。大於80kHz時，串聯型麻豆国产一区DSEP 9-06CR的性能要優於較小的DSEP8-06A單芯片麻豆国产一区。這是因為在這個圖中，隻出現了麻豆国产一区的損耗，它們之間的交叉點要高於圖1中的點，因此在麻豆国产一区的總損耗中，開通損耗要占絕大部分。

圖1 麻豆国产一区功率與開關頻率關係曲線(對應表1)

圖2 最高允許溫升與開關頻率(對應表1，Tj=110°)

當開關頻率在50kHz到100kHz範圍內(大部分PFC電路中所用的頻率)時，必須根據設計的要求來選擇麻豆国产一区。如果開關頻率已經固定，散熱又沒有問題，DSEP 8-06A是首選，因為它相對比較便宜。如果開關器件還沒有選擇好，那麽可以嚐試選擇中聯型麻豆国产一区，因為它可以減少開關的開通損耗。就這點來看，同單芯片麻豆国产一区和較大的晶體管相比。總的成本可以降低下來，如果開關頻率大於100kHz，或者係統要求高效率，那麽無疑要選擇串聯型麻豆国产一区了。有源吸收網絡在主開關管開通之前給麻豆国产一区的結電容放電，日韩国产成人可以去掉這個吸收網絡，這樣，主開關管的漏電流就不存在比較大的反向恢複電流，用低反向恢複電流的串聯型麻豆国产一区取代傳統的整流橋，在不加輔助電路的情況下，也可以起到同樣的效果。

有競爭力類型的麻豆国产一区同IXYS串聯型麻豆国产一区06EP相比，需要較低的散熱條件。這是因為它的反向恢複時間非常短，根據式(1)，它的損耗也比較低，但這種快速的關斷特性付出的代價是存在如圖3所示的EMC問題，DSEP9-06CR關斷比較慢但比較軟，幾乎可以忽略振蕩。圖4表明，同單芯片麻豆国产一区DSEP8-06A相比，它具有良好的反向恢複特性。

圖3 其它麻豆国产一区的關斷曲線

圖4 串聯型麻豆国产一区與單聯麻豆国产一区反向恢複曲線對比

當把若幹個器件串聯時，需要保證電壓均衡。這可以通過給每一個單個器件並聯一個RC吸收網絡，電阻實現靜態電壓均衡，電容實現動態電壓均衡。根據上麵的介紹，單封裝、串聯型麻豆国产一区不再需要外圍的網絡。集成在一個外殼內的芯片都實現了比較好的匹配，它們之間參數的差異也比較小。靜態、動態電壓均衡測試保證了器件的安全性，因此串聯型麻豆国产一区可以取代單芯片麻豆国产一区，而不必再受附加電路的限製和製約。

根據不同的開關頻率就有不同的優化方法。在低頻場合，單芯片麻豆国产一区是首選，因為它有較低的靜態損耗。在中等頻率範圍內，使用者必須根據所要求的性能指標來選擇合適的麻豆国产一区。如果需要低損耗，單芯片器件可能是最佳選擇、但也可以考慮較好性能的串聯型麻豆国产一区，因為使用它以後可以選擇定額小的開關管，這樣就可以降低總的成本。如果周圍的環境溫度比較高，散熱能力又比較差，這時可以選擇具有較大尺寸，散熱特性比較好的器件。選用低動態參數的串聯型麻豆国产一区可以提高整個係統的效率，因此，在高頻甚至更高頻率的場合，這種麻豆国产一区應該是最佳選擇。
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