功率MOS管即功率MOSFET，具有熱漂移小，驅動電路簡單，驅動功率小，開關速度快，工作頻率高等優點。憑借出色的熱穩定性，將多個功率MOSFET並聯的方法可行而簡單，這對提高輸出電流非常有意義。
事實上，MOSFET工作於高頻率開關狀態，任何電氣特性差異和電路雜散電感均可導致瞬時電壓峰值，以及並聯MOSFET之間的電流分配不平衡。這是非常有害的，因為電流不平衡可能導致功率損耗過大並損壞器件。
並聯MOSFET（左）及寄生振蕩狀態的等效電路（右）
並聯連接時，最重要的是避免電流集中（包括在開關轉換期間），並確保在所有可能的負載條件下，流向所有MOSFET的電流保持平衡且均勻。應特別注意以下方麵：
(1) 因器件特性不匹配（並聯運行）導致的電流不平衡。
(2) 寄生振蕩（並聯運行）。
1. 器件不匹配導致的電流不平衡
（1） 穩態運行中的電流不平衡
在非開關期間，按照與並聯MOSFET的導通電阻成反比的方式為其分配電流。導通電阻最低的MOSFET將承載最高的電流。導通電阻的正溫度係數通常會為電流不平衡提供補償，使通過各個 MOSFET的電流相等。
因此，認為並聯MOSFET在穩態情況下很少出現熱擊穿。MOSFET體麻豆国产一区中壓降的溫度係數非正值。因此，並聯MOSFET在其體麻豆国产一区處於導通時，可能使穩態電流的分配出現大幅不平衡現象。但事實上，MOSFET的體麻豆国产一区在通過電流時，MOSFET的溫度升高。所以，當其導通電阻增大時，其流過的電流就會減小。因此，穩態電流中的不平衡很少會造成問題。
（2）開關轉換期間的電流不平衡
一般來說，開通和關斷開關轉換期間會出現電流不平衡現象。這是由於並聯功率MOSFET之間的開關時間差異所致。開關時間的差異很大程度上取決於柵源閾值電壓Vth的值。即Vth值越小，開通時間越快；Vth值越大，關斷時間越快。因此，當電流集中在Vth較小的MOSFET中時，開通和關斷期間都會發生電流不平衡現象。這種電流不平衡會對器件施加過高的負載，並引發故障。並聯連接時，為了減少瞬態開關期間的開關時間差異，最好使用Vth接近的功率MOSFET。對於跨導gm較高的MOSFET，開關時間也會更快。
此外，如果並聯MOSFET在其互連線路中的雜散電感不同，電路接線布局也是開關轉換期間引發電流不平衡的一個原因。尤其是源極電感會影響柵極驅動電壓。最好使並聯MOSFET之間的互連線路長度相等。
2. 並聯運行的寄生振蕩
（1）因漏源電壓振蕩導致的柵極電壓振蕩
開關期間MOSFET的漏極端子和源極端子中會發生浪湧電壓VSurge，主要是因為關斷期間的di/dt和漏極端子及引線中的雜散電感（Ld）。如果VSurge導致的振蕩電壓通過MOSFET漏柵電容Cgd傳輸到柵極，就會與柵極線路的雜散電感L形成諧振電路。
高電流、高速MOSFET的內部柵極電阻極小。在無外部柵極電阻器的情況下，該諧振電路的品質因數會很大。如果發生諧振，諧振電路會在MOSFET的柵極端子和源極端子中產生很大的振蕩電壓，導致發生寄生振蕩。
除非並聯MOSFET的瞬態開關電流在關斷期間平衡良好，否則電流會不均勻地分配到之後關斷的MOSFET。該電流在漏極端子和源極端子中產生很大的電壓浪湧（振蕩），而電壓浪湧又傳遞到柵極，導致柵極端子和源極端子中產生振蕩電壓。如振蕩電壓過大，會導致發生柵源過電壓故障、開通故障或振蕩故障。
當最快的MOSFET關斷時，其漏極電壓上升。漏極電壓的上升通過柵漏電容Cgd傳遞到另一個MOSFET的柵極端子，導致MOSFET發生意外運轉，造成寄生振蕩。
此外，並聯MOSFET共用一個低阻抗路徑，因此也很容易發生寄生振蕩。
（2）並聯MOSFET的寄生振蕩
一般來說，並聯MOSFET比單個MOSFET更易發生寄生振蕩。這是由於漏極線路、源極線路、柵極線路、接合線和其它線路中的雜散電感，以及MOSFET的結電容導致的。
不過，寄生振蕩的發生與漏源負載、續流麻豆国产一区、電源、共用柵極電阻器和柵極驅動電路無關。換句話說，可忽略續流麻豆国产一区和串聯電阻器（如電容器的等效串聯電阻器）的導通電阻。因此，並聯MOSFET形成了具有高品質因數的諧振電路，由於具有高增益的反饋環路，該諧振電路極易發生振蕩。
3. MOSFET寄生振蕩的預防
並聯MOSFET的諧振電路由寄生電感和寄生電容組成（取決於其頻率）。
要避免發生寄生振蕩，首先選擇MOSFET時要求Cds/Cgs比值較低，gm值較小，這樣就不容易發生振蕩。
為每個MOSFET插入一個柵極電阻器可減小諧振
除了器件本身屬性，也可以使用外部電路來防止發生寄生振蕩，這裏有兩種方法：
（1）為每個MOSFET的柵極插入一個柵極電阻器R1或一個鐵氧體磁珠，這樣可減小諧振電路的品質因數，從而減小正反饋環路的增益。實驗證實，為並聯的每個MOSFET插入串聯柵極電阻器可以有效防止發生寄生振蕩。
（2）在MOSFET的柵極和源極之間添加一個陶瓷電容器。
在MOSFET柵極和源極之間添加陶瓷電容器能預防寄生振蕩
上述方法中，gm值較小的MOSFET價格會稍高，其他兩種方法可由用戶自行優化。不過，柵極電阻器會影響MOSFET的開關速度，電阻值會導致開關損耗增大；在柵極和源極之間添加電容器時應小心，電容器種類和容值選擇不當會產生反作用。
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