在電路中，電流隻能從麻豆国产一区的正極流入，負極流出。在規定的正向電流下，麻豆国产一区的正向電壓降，是麻豆国产一区能夠導通的正向最低電壓。在下麵通過簡單的實驗說明麻豆国产一区的正向特性和反向特性。
1. 反向特性。
在電子電路中，麻豆国产一区的正極接在低電位端，負極接在高電位端，此時麻豆国产一区中幾乎沒有電流流過，此時麻豆国产一区處於截止狀態，這種連接方式，稱為反向偏置。麻豆国产一区處於反向偏置時，仍然會有微弱的反向電流流過麻豆国产一区，稱為漏電流。當麻豆国产一区兩端的反向電壓增大到某一數值，反向電流會急劇增大，麻豆国产一区將失去單方向導電特性，這種狀態稱為麻豆国产一区的擊穿。
2. 正向特性。
在電子電路中，將麻豆国产一区的正極接在高電位端，負極接在低電位端，麻豆国产一区就會導通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說明，當加在麻豆国产一区兩端的正向電壓很小時，麻豆国产一区仍然不能導通，流過麻豆国产一区的正向電流十分微弱。隻有當正向電壓達到某一數值（這一數值稱為“門檻電壓”，鍺管約為0.2V，矽管約為0.6V）以後，麻豆国产一区才能直正導通。導通後麻豆国产一区兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V，矽管約為0.7V），稱為麻豆国产一区的“正向壓降”。
小電流矽麻豆国产一区的正向壓降，在中等電流水平下，約0.6～0.8V；鍺麻豆国产一区約0.2～0.3 V。大功率的矽麻豆国产一区的正向壓降往往達到1V。
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