半導體麻豆国产一区主要是依靠PN結而工作的。與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的麻豆国产一区的範圍內，包括這兩種型號在內，根據PN結構造麵 的特點，把晶體麻豆国产一区分類如下：
1、鍵型麻豆国产一区
鍵型麻豆国产一区是在鍺或矽的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介於點接觸型麻豆国产一区和合金型麻豆国产一区之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型麻豆国产一区的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優良。多作開關用，有時也被應用於檢波和電源整流（不大於50mA）。在鍵型麻豆国产一区中，熔接金絲的麻豆国产一区有時被稱金鍵型，熔接銀絲的麻豆国产一区有時被稱為銀鍵型。
2、點接觸型麻豆国产一区
點接觸型麻豆国产一区是在鍺或矽材料的單晶片上壓觸一根金屬針後，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用於高頻電路。但是，與麵結型相比較，點接觸型麻豆国产一区正向特性和反向特性都差，因此，不能使用於大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。對於小信號的檢波、整流、調製、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用範圍較廣的類型。
3、擴散型麻豆国产一区
在高溫的P型雜質氣體中，加熱N型鍺或矽的單晶片，使單晶片表麵的一部變成P型，以此法PN結。因PN結正向電壓降小，適用於大電流整流。最近，使用大電流整流器的主流已由矽合金型轉移到矽擴散型。
4、合金型麻豆国产一区
在N型鍺或矽的單晶片上，通過合金銦、鋁等金屬的方法製作PN結而形成的。正向電壓降小，適於大電流整流。因其PN結反向時靜電容量大，所以不適於高頻檢波和高頻整流。
5、台麵型兩極管
PN結的製造辦法固然與分散型相同，然而，隻保存PN結及其多餘的全體，把無須要的全體用藥品侵蝕掉。其剩餘的全體便出現出麵麵形，因此得名。年初消費的台麵型，是對於半超導體資料運用分散法而製成的。因而，又把這種台麵型稱為分散台麵型。關於這一類型來說，似乎大電流電整組用的貨物型號很少，而小直流開關用的產品型號卻很多。
6、合金分散型麻豆国产一区
它是合金型的一種。合金資料是簡單被分散的資料。把難以製造的資料經過拙劣地摻配雜質，就能與合金一同過擴散，再不正在曾經構成的PN結中失掉雜質的適當的深淺散布。本法適用於打造高銳敏度的變容麻豆国产一区。
7、內涵型麻豆国产一区
用內涵麵長的進程打造PN結而構成的麻豆国产一区。打造時非常高超的技能。因能隨意地掌握雜質的不同分布，故適宜於打造高銳敏度的變容麻豆国产一区。
8、平麵型麻豆国产一区
在半導體單晶片（主要地是N型矽單晶片）上，擴散P型雜質，利用矽片表麵氧化膜的屏蔽作用，在N型矽單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結麵積的藥品腐蝕作用。由於半導體表麵被製作得平整，故而得名。並且，PN結合的表麵，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。最初，對於被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平麵型稱為外延平麵型。對平麵型麻豆国产一区而言，似乎使用於大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。
9、肖特基麻豆国产一区
根本原理是：在金屬（例如鉛）和半超導體（N型矽鋼片）的平行麵上，用已構成的肖特基來阻撓反向電壓。肖特基與PN結的整組作用原理有基本性的差別。其耐壓水平隻要40V內外。其專長是：開關進度無比快：反向複時間trr特別地短。因而，能製造電門二極和高壓大直流電整組兩極管。
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