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MOS的6大失效原因與解決方案
  • 發布時間:2020-03-11 15:51:28
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MOS的6大失效原因與解決方案
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是能夠對調的,他們都是在P型中構成的N型區。在多數狀況下,這個兩個區是一樣的,即便兩端對調也不會影響半導體器件的性能。這樣的器件被以為是對稱的。
目前在市場應用方麵,排名第一的是消費類電子電源適配器產品。而MOS管的應用範疇排名第二的是計算機主板、NB、計算機類適配器、LCD顯現器等產品,隨著國情的開展計算機主板、計算機類適配器、LCD顯現器對MOS管的需求有要超越消費類電子電源適配器的現象了。
第三的就屬網絡通訊、工業控製、汽車電子以及電力設備範疇了,這些產品關於MOS管的需求也是很大的,特別是如今汽車電子關於MOS管的需求直追消費類電子了。
MOS的6大失效原因
下麵對MOS失效的緣由總結以下六點,然後對1,2重點停止剖析:
1:雪崩失效(電壓失效),也就是日韩国产成人常說的漏源間的BVdss電壓超越MOSFET的額定電壓,並且超越到達了一定的才能從而招致MOSFET失效。
2:SOA失效(電流失效),既超出MOSFET平安工作區惹起失效,分為Id超出器件規格失效以及Id過大,損耗過高器件長時間熱積聚而招致的失效。
3:體麻豆国产一区失效:在橋式、LLC等有用到體麻豆国产一区停止續流的拓撲構造中,由於體麻豆国产一区遭受毀壞而招致的失效。
4:諧振失效:在並聯運用的過程中,柵極及電路寄生參數招致震蕩惹起的失效。
5:靜電失效:在秋冬時節,由於人體及設備靜電而招致的器件失效。
6:柵極電壓失效:由於柵極遭受異常電壓尖峰,而招致柵極柵氧層失效。
雪崩失效剖析(電壓失效)
到底什麽是雪崩失效呢,簡單來說MOSFET在電源板上由於母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等係統電壓疊加在MOSFET漏源之間,招致的一種失效形式。簡而言之就是由於就是MOSFET漏源極的電壓超越其規則電壓值並到達一定的能量限度而招致的一種常見的失效形式。
下麵的圖片為雪崩測試的等效原理圖,做為電源工程師能夠簡單理解下。
MOS的6大失效原因
可能日韩国产成人經常請求器件消費廠家對日韩国产成人電源板上的MOSFET停止失效剖析,大多數廠家都僅僅給一個EAS.EOS之類的結論,那麽到底日韩国产成人怎樣辨別能否是雪崩失效呢,下麵是一張經過雪崩測試失效的器件圖,日韩国产成人能夠停止比照從而肯定能否是雪崩失效。
雪崩失效的預防措施
雪崩失效歸根結底是電壓失效,因而預防日韩国产成人著重從電壓來思索。詳細能夠參考以下的方式來處置。
1:合理降額運用,目前行業內的降額普通選取80%-95%的降額,詳細狀況依據企業的保修條款及電路關注點停止選取。
2:合理的變壓器反射電壓。
3:合理的RCD及TVS吸收電路設計。
4:大電流布線盡量采用粗、短的規劃構造,盡量減少布線寄生電感。
5:選擇合理的柵極電阻Rg。
6:在大功率電源中,能夠依據需求恰當的參加RC減震或齊納麻豆国产一区停止吸收。
MOS的6大失效原因
SOA失效(電流失效)
再簡單說下第二點,SOA失效
SOA失效是指電源在運轉時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上麵,形成瞬時部分發熱而招致的毀壞形式。或者是芯片與MOS散熱器及封裝不能及時到達熱均衡招致熱積聚,持續的發熱使溫度超越氧化層限製而招致的熱擊穿形式。
關於SOA各個線的參數限定值能夠參考下麵圖片。
MOS的6大失效原因
1:受限於最大額定電流及脈衝電流
2:受限於最大節溫下的RDSON。
3:受限於器件最大的耗散功率。
4:受限於最大單個脈衝電流。
5:擊穿電壓BVDSS限製區
日韩国产成人電源上的MOSFET,隻需保證能器件處於上麵限製區的範圍內,就能有效的躲避由於MOSFET而招致的電源失效問題的產生。這個是一個非典型的SOA招致失效的一個解刨圖,由於去過鋁,可能看起來不那麽直接,參考下。
MOS的6大失效原因
SOA失效的預防措施:
1:確保在最差條件下,MOSFET的一切功率限製條件均在SOA限製線以內。
2:將OCP功用一定要做準確細致。在停止OCP點設計時,普通可能會取1.1-1.5倍電流餘量的工程師居多,然後就依據IC的維護電壓比方0.7V開端調試RSENSE電阻。有些有經曆的人會將檢測延遲時間、CISS對OCP實踐的影響思索在內。但是此時有個更值得關注的參數,那就是MOSFET的Td(off)。它到底有什麽影響呢,日韩国产成人看下麵FLYBACK電流波形圖(圖形不是太分明,非常負疚,倡議雙擊放大觀看)。
MOS的6大失效原因
從圖中能夠看出,電流波形在快到電流尖峰時,有個下跌,這個下跌點後又有一段的上升時間,這段時間其實質就是IC在檢測到過流信號執行關斷後,MOSFET自身也開端執行關斷,但是由於器件自身的關斷延遲,因而電流會有個二次上升平台,假如二次上升平台過大,那麽在變壓器餘量設計缺乏時,就極有可能產生磁飽和的一個電流衝擊或者電流超器件規格的一個失效。
3:合理的熱設計餘量,這個就不多說了,各個企業都有本人的降額標準,嚴厲執行就能夠了,不行就加散熱器。
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