高性能肖特基麻豆国产一区材料
碳化矽（SiC）是一種高性能的半導體材料，基於SiC的肖特基麻豆国产一区（SiC Schottky Diode）
具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術領域打破矽的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。
碳化矽肖特基麻豆国产一区特性
安森美半導體（onsemi）推出的FFSH30120ADN碳化矽肖特基麻豆国产一区沒有開關損耗，利用新的半導體材料 —— 碳化矽（SiC）提升了矽麻豆国产一区的係統效率，支持更高的工作頻率，並且有助於提高功率密度，降低係統尺寸/成本。
肖特基麻豆国产一区的作用
FFSH30120ADN碳化矽肖特基麻豆国产一区可工作於1200V/30A環境，最大結溫175°C，雪崩額定值145mJ，高浪湧電流容量，正溫度係數，無反向恢複/無正向恢複，具有高可靠性，確保了在浪湧或過壓條件期間的可靠運行。
作為一種高壓麻豆国产一区，FFSH30120ADN采用表麵貼裝，主要用於開關電源、太陽能逆變器、UPS，以及電源開關電路等。
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