不同類型的麻豆国产一区與其用途

發布時間：2020-03-19 15:34:37
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不同類型的麻豆国产一区與其用途

麻豆国产一区是一種兩端電氣設備，隻允許在一個方向上傳輸電流。麻豆国产一区也以其單向電流特性而聞名，在這種情況下，電流可以在一個方向上流動。基本上，麻豆国产一区用於無線電檢測器或電源內部的波形整流，也可用於需要麻豆国产一区``單向''輸出的各種電氣和電子電路中。大多數麻豆国产一区是由諸如Si（矽）的半導體製成的，但有時也使用Ge（鍺）。總結一下存在的不同類型的麻豆国产一区有時是有益的。一些類型可能會重疊，但是各種定義可能會有助於縮小範圍並提供不同麻豆国产一区類型的概述。

不同類型的麻豆国产一区

有幾種類型的麻豆国产一区可用於電子設計：後向麻豆国产一区，BARITT麻豆国产一区，耿氏麻豆国产一区，激光麻豆国产一区，發光麻豆国产一区，光電麻豆国产一区，PIN麻豆国产一区，PN結，肖特基麻豆国产一区，階躍恢複麻豆国产一区，隧道麻豆国产一区，變容麻豆国产一区和齊納麻豆国产一区。

不同類型的麻豆国产一区示例圖

後向麻豆国产一区

這種類型的麻豆国产一区也稱為反向麻豆国产一区，並未廣泛使用。後向麻豆国产一区是PN結麻豆国产一区，其工藝類似於隧道麻豆国产一区。它找到了一些可以使用其特定屬性的特殊應用程序。

後向麻豆国产一区

BARITT麻豆国产一区

該麻豆国产一区的短期是“勢壘注入傳輸時間”麻豆国产一区，是BARITT麻豆国产一区。它適用於微波應用，並可以與更廣泛使用的IMPATT麻豆国产一区進行許多比較。

耿氏麻豆国产一区

耿氏麻豆国产一区是PN結麻豆国产一区，這種麻豆国产一区是具有兩個端子的半導體器件。通常，它用於產生微波信號。

耿氏麻豆国产一区

激光麻豆国产一区

激光麻豆国产一区與普通的LED（發光麻豆国产一区）不同，因為它會產生相幹光。這些麻豆国产一区廣泛用於許多應用中，例如DVD，CD驅動器和PPT的激光指示器。盡管這些麻豆国产一区比其他類型的激光發生器便宜，但它們比LED貴得多。它們也有部分壽命。

激光麻豆国产一区

發光麻豆国产一区

LED一詞代表發光麻豆国产一区，是麻豆国产一区的最標準類型之一。當麻豆国产一区以正向偏置連接時，電流流過結並產生光。LED也有許多新的發展變化，它們是LED和OLED。

發光麻豆国产一区

光電麻豆国产一区

光電麻豆国产一区用於檢測光。已經發現，當光撞擊PN結時，會產生電子和空穴。通常，光電麻豆国产一区在反向偏置條件下工作，在反向偏置條件下，甚至可以簡單地注意到由光引起的少量電流。這些麻豆国产一区也可以用來發電。

光電麻豆国产一区

PIN麻豆国产一区

這種麻豆国产一区的特點是其結構。它具有標準的P型和N型區域，但是兩個區域之間的區域（即本征半導體）沒有摻雜。本征半導體的區域具有增加耗盡區的麵積的作用，這對於開關應用是有利的。

PIN麻豆国产一区

PN結麻豆国产一区

可以將標準PN結視為當今使用的普通或標準類型的麻豆国产一区。這些麻豆国产一区可以作為小信號類型出現在RF（射頻）或其他低電流應用中，這些信號可以稱為信號麻豆国产一区。其他類型也可能計劃用於高壓和大電流應用，通常稱為整流麻豆国产一区。

肖特基麻豆国产一区

肖特基麻豆国产一区的正向壓降比普通Si PN結麻豆国产一区低。在低電流下，壓降可以在0.15至0.4伏之間，而Si麻豆国产一区的壓降為0.6伏。為了獲得此性能，它們以不同的方式設計為與具有金屬至半導體接觸的普通麻豆国产一区進行比較。這些麻豆国产一区廣泛用於整流器應用，鉗位麻豆国产一区以及射頻應用。

肖特基麻豆国产一区

分步恢複麻豆国产一区

步進恢複麻豆国产一区是一種微波麻豆国产一区，用於產生非常HF（高頻）的脈衝。這些麻豆国产一区取決於麻豆国产一区，該麻豆国产一区的工作特性非常快。

分步恢複麻豆国产一区

隧道麻豆国产一区

該隧道麻豆国产一区用於微波應用，其性能超過了當今其他器件。

隧道麻豆国产一区

變容麻豆国产一区

變容麻豆国产一区是一種半導體微波固態器件，它用於選擇可變電容的情況，該可變電容可以通過控製電壓來實現。這些麻豆国产一区也被稱為靜脈曲張麻豆国产一区。即使普通PN結麻豆国产一区可以顯示可變電容的o / p，但由於它們是不同類型的麻豆国产一区，因此選擇該麻豆国产一区是為了提供最佳的電容變化。這些麻豆国产一区經過精確設計和增強，因此可以在很大範圍內改變電容。