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麻豆国产一区、三極管、MOS管、橋堆

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晶體麻豆国产一区的識別及檢測方法圖解
  • 發布時間:2020-04-04 17:12:58
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晶體麻豆国产一区的識別及檢測方法圖解
[1]、晶體麻豆国产一区又叫半導體麻豆国产一区,簡稱麻豆国产一区,是具有一個PN結的半導體器件。麻豆国产一区品種很多,外形、大小各異。較常見的有:玻璃殼麻豆国产一区、塑封麻豆国产一区、金屬殼麻豆国产一区、大功率螺栓狀金屬殼麻豆国产一区、微型麻豆国产一区、片狀麻豆国产一区等。功能上可分為檢波麻豆国产一区、整流麻豆国产一区、開關麻豆国产一区、穩壓麻豆国产一区等。
晶體麻豆国产一区的識別
[2]、晶體麻豆国产一区的文字符號為“VD”,各種麻豆国产一区的圖形符號如圖示。
晶體麻豆国产一区的識別
[3]、晶體麻豆国产一区的主要參數有:(1) 最大整流電流IFMFM,是指允許正向通過PN結的最大平均電流(圖③a)。使用中實際工作電流應小於IFM,否則將損壞麻豆国产一区。(2) 最大反向電壓URM,是指反向加在麻豆国产一区兩端而不致引起PN結擊穿的最大電壓(圖③b)。使用中應選用URM大於實際工作電壓2倍以上的麻豆国产一区。(3) 檢波或高頻整流麻豆国产一区的最高工作頻率fM,至少應2倍於電路實際工作頻率。(4) 穩壓麻豆国产一区的穩定電壓UZ值應符合電路要求。
[4]、晶體麻豆国产一区兩管腳有正、負極之分。電路符號中,三角底邊為正極,短杠一端為負極。實物中,有的將電路符號印在麻豆国产一区上標示出極性;有的在麻豆国产一区負極一端印上一道色環作為負極標記;有的麻豆国产一区兩端形狀不同,平頭為正極,圓頭為負極。使用中應注意識別。
晶體麻豆国产一区的識別
[5]、晶體麻豆国产一区具有單向導電特性,隻允許電流從正極流向負極,而不允許電流從負極流向正極。
晶體麻豆国产一区的識別
[6]、鍺麻豆国产一区和矽麻豆国产一区在正向導通時具有不同的正向管壓降。圖示為鍺麻豆国产一区伏安特性曲線,當所加正向電壓大於正向管壓降時,鍺麻豆国产一区導通。鍺麻豆国产一区的正向管壓降約為0.3V。
晶體麻豆国产一区的識別
[7]、圖示為矽麻豆国产一区伏安特性曲線,當所加正向電壓大於0.7V時,矽麻豆国产一区導通。另外,在相同的溫度下,矽麻豆国产一区的反向漏電流比鍺麻豆国产一区小得多。從以上伏安特性曲線可見,麻豆国产一区的電壓與電流為非線性關係,因此晶體麻豆国产一区是非線性半導體器件。
晶體麻豆国产一区的識別
[8]、晶體麻豆国产一区可用萬用表進行管腳識別和檢測。萬用表置於“R×1k”擋,兩表筆分別接到麻豆国产一区的兩端,如果測得的電阻值較小,則為麻豆国产一区的正向電阻,這時與黑表筆(即表內電池正極)相連接的是麻豆国产一区正極,與紅表筆(即表內電池負極)相連接的是麻豆国产一区負極。
晶體麻豆国产一区的識別
[9]、如果測得的電阻值很大,則為麻豆国产一区的反向電阻,這時與黑表筆相接的是麻豆国产一区負極,與紅表筆相接的是麻豆国产一区正極。麻豆国产一区的正、反向電阻應相差很大,且反向電阻接近於無窮大。如果某麻豆国产一区正、反向電阻均為無窮大,說明該麻豆国产一区內部斷路損壞;如果正、反向電阻均為0,說明該麻豆国产一区已被擊穿短路;如果正、反向電阻相差不大,說明該麻豆国产一区質量太差,不宜使用。
晶體麻豆国产一区的識別
[10]、由於鍺麻豆国产一区和矽麻豆国产一区的正向管壓降不同,因此可以用測量麻豆国产一区正向電阻的方法來區分。如果正向電阻小於1kΩ,則為鍺麻豆国产一区。
晶體麻豆国产一区的識別
[11]、如果正向電阻為1~5kΩ,則為矽麻豆国产一区。
晶體麻豆国产一区的識別
[12]、晶體麻豆国产一区的主要作用之一是檢波。圖示為超外差收音機檢波電路,第二中放輸出的調幅波加到麻豆国产一区VD負極,其負半周通過了麻豆国产一区,而正半周被截止,再由RC濾波器濾除其中的高頻成份,輸出的就是調製在載波上的音頻信號,這個過程稱為檢波。
晶體麻豆国产一区的識別
[13]、麻豆国产一区的另一用途是整流。圖示為整流電源電路,由於麻豆国产一区的單向導電特性,在交流電壓正半周時麻豆国产一区VD導通,有輸出;在交流電壓負半周時麻豆国产一区VD截止,無輸出。經麻豆国产一区VD整流出來的脈動電壓再經RC濾波後即為直流電壓。
晶體麻豆国产一区的識別
[14]、全橋整流堆通常簡稱為全橋,是一種整流麻豆国产一区的組合器件,有長方形、圓形、扁形、方形等,並有多種電壓、電流、功率規格。
晶體麻豆国产一区的識別
[15]、全橋整流堆的文字符號為“UR”。全橋整流堆內部包含4隻整流麻豆国产一区,並按一定規律連接,如右圖所示,具有2個交流輸入端(~)和直流正(+)、負(-)極輸出端。
晶體麻豆国产一区的識別
[16]、全橋整流堆主要用於橋式全波整流電路。交流電壓U正半周時,電流I正經VD2、負載R、VD3形成回路,負載上電壓UR為上正下負。U負半周時,電流I負經VD4、R、VD1形成回路,負載上電壓UR仍為上正下負,實現了全波整流。使用全橋整流堆,可以簡化整流電路的結構。
晶體麻豆国产一区的識別
[17]、圖17為穩壓麻豆国产一区伏安特性曲線,可見,穩壓麻豆国产一区是利用PN結反向擊穿後,其端電壓在一定範圍內基本保持不變的原理工作的。隻要使反向電流不超過其最大工作電流IZM,穩壓麻豆国产一区是不會損壞的。
晶體麻豆国产一区的識別
[18]、穩壓值在15V以下的穩壓麻豆国产一区,可以用萬用表“R×10k”擋(內含15V高壓電池)測量其穩壓值。讀數時刻度線最左端為15V,最右端為0。可利用萬用表原有的50V擋刻度來讀數,並代入以下公式求出:穩壓值為(50-X)/ 50·15V,式中,X為50V擋刻度線上的讀數。
晶體麻豆国产一区的識別
[19]、穩壓麻豆国产一区的作用是穩壓,圖示為並聯穩壓電路,穩壓麻豆国产一区VD上的電壓即為輸出電壓。
晶體麻豆国产一区的識別
[20]、三引腳穩壓管是一種具有溫度補償的穩壓麻豆国产一区,其管殼內包含了兩個背靠背反向串聯的穩壓麻豆国产一区;其外形與晶體三極管一樣,具有3條管腳 :①腳和②腳分別為兩個穩壓麻豆国产一区的負極,由於是對稱的,可隨意互換,使用時一個接電源正極,另一個接地;③腳為兩個穩壓麻豆国产一区的公共正極,懸空不用。三引腳穩壓管主要應用於對溫度穩定度要求較高的精密穩壓電路中。
晶體麻豆国产一区的識別
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