MOSFET與符號詳解,MOSFET是很常用的一個器件，可以起到“導通”“截止”的狀態，大量的用在電源處理中。先從量上來說，NMOS器件是比PMOS要更常見，因為PMOS開關慢，電壓高，很費勁。如果能找到源柵漏這幾個標注，可以通過寄生麻豆国产一区的方向來做判斷。
今天寫一下，MOS管電路符號和寄生麻豆国产一区方向，和半導體類型的對應關係。
NMOS和PMOS，都是MOS管的一種類型。MOS，叫金屬氧化物半導體。
氧化物是一個絕緣介質，氧化物上下兩側都是金屬，那就是一個電容。
氧化物其中一側是半導體，另一側是金屬，其實也是一個電容。
如果給MOS的M金屬側加正電荷，那挨著介質的一側就會被感應出負電荷。
一般半導體是一個體結構，標注為block，B，看電路符號都是有個箭頭，那個箭頭表示了電子被感應的方向。上圖金屬正電荷，在介質靠近金屬的地方，感應出很多電子。
繼續設計這個結構，兩側做成n型半導體，n型半導體裏邊是有自由電子。MOS管加電壓，感應吸附自由電子靠近氧化物，這些自由電子就把兩側的n型半導體導通了的。
金屬氧化物半導體，不加電，兩側半導體不導通。
MOS，控製兩側N型半導體是否導通，這是個NMOS，那底下的襯底就要做成P型半導體。在電路符號裏，就會看到這麽標注。
襯底做成P型，是在無電壓的情況下，源和漏是一對兒背靠背的麻豆国产一区，能夠穩定截止。
綜合一下，NMOS的電路符號是這樣的。
一般咱們適用的MOS管，並不會做成四個電極，而是會吧體電極與源合並。
小結一下NMOS：
① MOS中金屬加正電壓，底部感應出電子
② 自由電子，導通兩側的n型半導體
③ 零電壓時，源漏之間是反向截止麻豆国产一区。
同理，下圖PMOS
① MOS中金屬加負電壓，底部感應出空穴，（下頭的箭頭，是電子的方向，空穴流向氧化物邊緣，電子則會遠離）
② 空穴增多，導通兩側的p型半導體，（P型半導體也是有空穴）
③ 零電壓時，源漏之間是反向截止麻豆国产一区。（PMOS源漏之間的電壓和PN結的電壓，通通都和NMOS反向。依然是截止。）
但凡可以看到源漏標注，就可以通過寄生電壓的方式來判別是nmos還是pmos。
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