摘要：dIT/dt是衡量可控矽可靠性的一個重要參數，過高的dIT/dt可能會導致可控矽損壞或失效，故設計一個能準確測量此參數的低成本線路顯得尤為關鍵。本文設計了一個簡潔的測量可控矽dIT/dt的測試電路，並介紹了它的測試原理與測試方法，且測量了市場上的BTA208-600B，得出了測試結果，與該產品說明書的值一致。可應用於研發可控矽的企事業單位和研究所測試可控矽。
引言
可控矽在白色家電的應用廣泛，而dIT/dt是衡量可控矽可靠性的一個重要的動態參數，它的重要性等同於可控矽的dIcom/dt和dVD/dt，它是可控矽導通電流的變化率，過快的電流變化率會使得可控矽局部產生很大的熱量，可能會導致可控矽的永久性失效。故設計一款測試該參數的測試電路顯得尤為重要，且符合低成本。本測試電路操作簡單，測量準確，可用於可控矽的dIT/dt參數測量與測試，該測試電路可測試單向可控矽，雙向可控矽，AC可控矽。
測試原理與測試線路設計
該測試線路是在傳統的相位控製電路的基礎上增加了兩個配置，利用該線路當可控矽的控製端觸發導通時可產生一個高的上升和下降斜率的電流波通過可控矽的T1和T2，從而可以測量電流的變化率，當可控矽的電特性(靜態參數)發生變化時說明該器件已經受損，此前測量的dIT/dt值即為該可控矽能承受的最大導通電流變化率。
測試電路原理圖見圖1，一個配置是隔離變壓器，可用來產生一個39V左右的交流電壓來控製可控矽的觸發導通，同時日韩国产成人可以通過上下兩個單刀雙擲開關來改變控製端的電壓極性，從而可用來測量可控矽的四個導通象限：1+，1-，3+，3-。220k的可調電阻R2用來控製導通的相位角，日韩国产成人可以設置這個可調電阻使得在交流電的尖峰點觸發使得可控矽導通，這樣可以得到一個高的dIT/dt。
另一種配置是220歐姆的可調電阻R6與12歐姆R5和0.1μF的電容C2構成的阻尼電路，調整該電阻可改變流經可控矽的電流的變化率，即dIT/dt，當日韩国产成人需要加一個50A/μs的電流在可控矽上時，日韩国产成人需要調高電阻值，而當日韩国产成人加一個大於100A/μs的電流在可控矽上，日韩国产成人就需要使該變阻器的阻值變得很小，這樣可以得到高的dIT/dt。
需要說明的是，該測試電路中的燈泡，從40W到1000W的範圍可選，通常日韩国产成人可以使用市場上常有的40W的燈泡。
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