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麻豆国产一区、三極管、MOS管、橋堆

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麻豆国产一区的原理和選型介紹
  • 發布時間:2020-09-23 18:41:30
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麻豆国产一区的原理和選型介紹
麻豆国产一区(Diode)算是半導體家族中的元老了,其最明顯的性質就是它的單向導電特性,就是說電流隻能從一邊過去,卻不能從另一邊過來(從正極流向負極)。
根據材料的導電能力,日韩国产成人將形形色色的材料劃分為導體、絕緣體和半導體。半導體是一種具有特殊性質的物質,它的導電能力介於導體和絕緣體之間,所以被稱為半導體。常見的半導體材料有矽(Si)和鍺(Ge)。
下麵日韩国产成人將從二級管的基礎知識、麻豆国产一区的選用,這兩個方麵出發對二級管進行介紹。
基礎知識
01
麻豆国产一区的分類
麻豆国产一区的種類有很多,按照所用的半導體材料,可分為鍺麻豆国产一区(Ge管)和矽麻豆国产一区(Si管);按照管芯結構,又可分為點接觸型麻豆国产一区、麵接觸型麻豆国产一区及平麵型麻豆国产一区。
根據麻豆国产一区的不同用途,可分為檢波麻豆国产一区、整流麻豆国产一区、穩壓麻豆国产一区、開關麻豆国产一区、肖特基麻豆国产一区、發光麻豆国产一区等。
02
麻豆国产一区的型號命名方法
(1)按照國產半導體器件型號命名方法:麻豆国产一区的型號命名由五個部分組成:主稱、材料與極性、類別、序號和規格號(同一類產品的檔次)。
麻豆国产一区的原理
03
麻豆国产一区的工作原理
麻豆国产一区的主要原理就是利用PN結的單向導電性,在PN結上加上引線和封裝就成了一個麻豆国产一区。
晶體麻豆国产一区為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結,在其界麵處兩側形成空間電荷層,並建有自建電場。當不存在外加電壓時,由於PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。
當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓範圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。
當外加的反向電壓高到一定程度時,PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程,產生大量電子空穴對,產生了數值很大的反向擊穿電流,稱為麻豆国产一区的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。
麻豆国产一区的選用
04
按主要參數選擇
(1)額定正向工作電流
額定正向工作電流指麻豆国产一区長期連續工作時允許通過的最大正向電流值。
(2)最大浪湧電流
最大浪湧電流,是允許流過的過量正向電流,它不是正常電流,而是瞬間電流。其值通常是額定正向工作電流的20倍左右。
(3)最高反向工作電壓
加在麻豆国产一区兩端的反向工作電壓高到一定值時,管子將會擊穿,失去單向導電能力。為了保證使用安全,規定了最高反向工作電值。例如,lN4001麻豆国产一区反向耐壓為50V,lN4007的反向耐壓為1000V。
(4)反向電流
反向電流是指麻豆国产一区在規定的溫度和最高反向電壓作用下,流過麻豆国产一区的反向電流。反向電流越小,管子的單方向導電性能越好。反向電流與溫度密切相關,大約溫度每升高10℃,反向電流增大一倍。矽麻豆国产一区比鍺麻豆国产一区在高溫下具有較好的穩定性。
(5)反向恢複時間
從正向電壓變成反向電壓時,電流一般不能瞬時截止,要延遲一點點時間,這個時間就是反向恢複時間。它直接影響麻豆国产一区的開關速度。
(6)最大功率
最大功率就是加在麻豆国产一区兩端的電壓乘以流過的電流。這個極限參數對穩壓麻豆国产一区等顯得特別。
(7)頻率特性
由於結電容的存在,當頻率高到某一程度時,容抗小到使 PN 結短路。導致麻豆国产一区失去單向導電性,不能工作,PN 結麵積越大,結電容也越大,越不能在高頻情況下工作。
05
不同麻豆国产一区的選用
(1)檢波麻豆国产一区
檢波麻豆国产一区一般可選用點接觸型鍺麻豆国产一区,選用時,應根據電路的具體要求來選擇工作頻率高、反向電流小、正向電流足夠大的檢波麻豆国产一区。
(2)整流麻豆国产一区
整流麻豆国产一区一般為平麵型矽麻豆国产一区,用於各種電源整流電路中。選用整流麻豆国产一区時,主要應考慮其最大整流電流、最大反向工作電流、截止頻率及反向恢複時間等參數。
普通串聯穩壓電源電路中使用的整流麻豆国产一区,對截止頻率的反向恢複時間要求不高,隻要根據電路的要求選擇最大整流電流和最大反向工作電流符合要求的整流麻豆国产一区即可。
(3)穩壓麻豆国产一区
穩壓麻豆国产一区一般用在穩壓電源中作為基準電壓源或用在過電壓保護電路中作為保護麻豆国产一区。選用的穩壓麻豆国产一区,應滿足應用電路中主要參數的要求。
穩壓麻豆国产一区的穩定電壓值應與應用電路的基準電壓值相同,穩壓麻豆国产一区的最大穩定電流應高於應用電路的最大負載電流50%左右。
(4)開關麻豆国产一区
開關麻豆国产一区主要應用於收錄機、電視機、影碟機等家用電器及電子設備有開關電路、檢波電路、高頻脈衝整流電路等。
中速開關電路和檢波電路,可以選用2AK係列普通開關麻豆国产一区。高速開關電路可以選用RLS係列、1SS係列、1N係列、2CK係列的高速開關麻豆国产一区,要根據應用電路的主要參數(如正向電流、最高反向電壓、反向恢複時間等)來選擇開關麻豆国产一区的具體型號。
(5)變容麻豆国产一区
選用變容麻豆国产一区時,應著重考慮其工作頻率、最高反向工作電壓、最大正向電流和零偏壓結電容等參數是否符合應用電路的要求,應選用結電容變化大、高Q值、反向漏電流小的變容麻豆国产一区。
06
TVS麻豆国产一区選型
(1)最高工作電壓:要知道,在電路正常運作的情況下,TVS管是不工作的,因此TVS管的截止電壓必須大於被保護電路的最高工作電壓。但是也不能太高,否則箝位電壓也會很高。故,在選擇最高電壓時,要綜合考慮被保護電路的工作電壓及電路的承受能力。
(2)TVS管功率選型:TVS 產品的額定瞬態功率應大於電路中可能出現的最大瞬態浪湧功率。
(3)箝位電壓:TVS 鉗位電壓應小於後級被保護電路最大可承受的瞬態安全電壓。
(4)漏電流:在一些低功耗電路或高精度采集電路中,漏電流過大可能導致電路功耗過大或信號的采集精度超標。
(5)結電容:TVS 的結電容一般在幾十皮法至幾十納法。對於同一功率等級的 TVS,其電壓越低,電容值越大。在一些通信線路中,要注意 TVS 的結電容,不能影響電路正常工作。
(6)封裝形式:TVS 的功率從封裝形式上也可以體現,封裝體積越小,其功率一般也越小,因為 TVS 的芯片麵積直接決定了 TVS 的功率等級。TVS管采購商可根據電路設計及測試要求選擇合適封裝的 TVS 器件。
07
常用整流麻豆国产一区選型
麻豆国产一区型號,用途,最高反向工作電壓VR,最大平均整流電流IF
1N4001 矽整流麻豆国产一区 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)
1N4002 矽整流麻豆国产一区 100V, 1A,
1N4003 矽整流麻豆国产一区 200V, 1A,
1N4004 矽整流麻豆国产一区 400V, 1A,
1N4005 矽整流麻豆国产一区 600V, 1A,
1N4006 矽整流麻豆国产一区 800V, 1A,
1N4007 矽整流麻豆国产一区 1000V, 1A,
1N4148 矽開關麻豆国产一区 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V,
1N5391 矽整流麻豆国产一区 50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A)
1N5392 矽整流麻豆国产一区 100V,1.5A,
1N5393 矽整流麻豆国产一区 200V,1.5A,
1N5394 矽整流麻豆国产一区 300V,1.5A,
1N5395 矽整流麻豆国产一区 400V,1.5A,
1N5396 矽整流麻豆国产一区 500V,1.5A,
1N5397 矽整流麻豆国产一区 600V,1.5A,
1N5398 矽整流麻豆国产一区 800V,1.5A,
1N5399 矽整流麻豆国产一区 1000V,1.5A,
1N5400 矽整流麻豆国产一区 50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)
1N5401 矽整流麻豆国产一区 100V,3A,
1N5402 矽整流麻豆国产一区 200V,3A,
1N5403 矽整流麻豆国产一区 300V,3A,
1N5404 矽整流麻豆国产一区 400V,3A,
1N5405 矽整流麻豆国产一区 500V,3A,
1N5406 矽整流麻豆国产一区 600V,3A,
1N5407 矽整流麻豆国产一区 800V,3A,
1N5408 矽整流麻豆国产一区 1000V,3A,
1S1553 矽開關麻豆国产一区 70V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma,
1S1554 矽開關麻豆国产一区 55V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma,
1S1555 矽開關麻豆国产一区 35V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma,
1S2076 矽開關麻豆国产一区 35V,150mA,250mW, 8nS, 3PF,450ma, Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF,
1S2076A 矽開關麻豆国产一区 70V,150mA,250mW,8nS, 3PF,450ma, 60V, Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF,
1S2471 矽開關麻豆国产一区 80V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,
1S2471B 矽開關麻豆国产一区 90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,
1S2471V 矽開關麻豆国产一区 90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,
1S2472 矽開關麻豆国产一区 50V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,
1S2473 矽開關麻豆国产一区 35V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤3PF,
1S2473H 矽開關麻豆国产一区 40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,
2AN1 麻豆国产一区 5A, f=100KHz
2CK100 矽開關麻豆国产一区 40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,
2CK101 矽開關麻豆国产一区 70V,150mA,250mW,8nS, 3PF,450ma,
2CK102 矽開關麻豆国产一区 35V,150mA,250mW, 8nS, 3PF,450ma,
2CK103 矽開關麻豆国产一区 20V,100mA, 2PF,100ma,
2CK104 矽開關麻豆国产一区 35V,100mA, 10nS,2PF,225ma,
2CK105 矽開關麻豆国产一区 35V,100mA, 4nS,2PF,225ma,
2CK106 矽開關麻豆国产一区 75V,100mA, 4nS,2PF,100ma,
2CK107 矽開關麻豆国产一区 90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,
2CK108 矽開關麻豆国产一区 70V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma,
2CK109 矽開關麻豆国产一区 35V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma,
2CK110 矽開關麻豆国产一区 90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,
2CK111 矽開關麻豆国产一区 55V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma,
2CK150 矽開關麻豆国产一区 15V, Ir≤25nA, Vf≤1.2V,≤2PF,
2CK161 矽開關麻豆国产一区 15V, Ir≤25nA, Vf≤1.2V,≤2PF,
2CK4148 矽開關麻豆国产一区 75V, Ir≤25nA,Vf=1V,4PF,
2CK2076 矽開關麻豆国产一区 35V, Ir≤1uA,Vf≤0.8V, ≤1.8PF,
2CK2076A矽開關麻豆国产一区 60V, Ir≤1uA,Vf≤0.8V, ≤1.8PF,
2CK2471 矽開關麻豆国产一区 80V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,
2CK2472 矽開關麻豆国产一区 50V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,
2CK2473 矽開關麻豆国产一区 35V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤3PF,
2CN1A 矽麻豆国产一区 400V, 1A, f=100KHz,
2CN1B 矽麻豆国产一区 100V, 1A, f=100KHz,
2CN3 矽麻豆国产一区 V, 1A, f=100KHz,
2CN3D 矽麻豆国产一区 V, 1A, f=100KHz,
2CN3E 矽麻豆国产一区 V, 1A, f=100KHz,
2CN3F 矽麻豆国产一区 V, 1A, f=100KHz,
2CN3G 矽麻豆国产一区 V, 1A, f=100KHz,
2CN3H 矽麻豆国产一区 V, 1A, f=100KHz,
2CN3I 矽麻豆国产一区 V, 1A, f=100KHz,
2CN3K 矽麻豆国产一区 V, 1A, f=100KHz,
2CN4D 矽麻豆国产一区 V, 1.5A,f=100KHz,
2CN5D 矽麻豆国产一区 V, 1.5A, f=100KHz,
2CN6 矽麻豆国产一区 V, 1A, f=100KHz,
2CP1553 矽麻豆国产一区 Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF,
2CP1554 矽麻豆国产一区 Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF,
2CP1555 矽麻豆国产一区 Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF,
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