光電麻豆国产一区原理

普通麻豆国产一区在反向電壓作用時處於截止狀態，隻能流過微弱的反向電流，光電麻豆国产一区在設計和製作時盡量使PN結的麵積相對較大，以便接收入射光。光電麻豆国产一区是在反向電壓作用下工作的，沒有光照時，反向電流極其微弱，叫暗電流；有光照時，反向電流迅速增大到幾十微安，稱為光電流。光的強度越大，反向電流也越大。光的變化引起光電麻豆国产一区電流變化，這就可以把光信號轉換成電信號，成為光電傳感器件。

光電麻豆国产一区的工作原理

光電麻豆国产一区是將光信號轉換成電流或電壓信號的特殊麻豆国产一区，它與常規麻豆国产一区結構上基本相似，都具有一個PN結，但光電麻豆国产一区在設計和製作時盡量使PN結的麵積相對較大，以便接收入射光。

其基本原理是當光照在麻豆国产一区上時，被吸收的光能轉換成電能。光電麻豆国产一区工作在反向電壓作用下，隻通過微弱的電流（一般小於0.1微安），稱為暗電流，有光照時，攜帶能量的光子進入PN結後，把能量傳給共價鍵上的電子，使有些電子掙脫共價鍵，而產生電子-空穴對，稱為光生載流子，因為光生載流子的數目是有限的，而光照前多子的數目遠大於光生載流子的數目，所以光生載流子對多子的影響是很小的，但少子的數目少有比較大的影響，這就是為什麽光電麻豆国产一区是工作在反向電壓下而不是正向電壓下，於是在反向電壓作用下被光生載流子影響而增加的少子參加漂流運動，在P區，光生電子擴散到PN結，如果P區厚度小於電子擴散長度，那麽大部分光生電子將能穿過P區到達PN結，在N區也是相同的道理，也因此光電麻豆国产一区在製作時，PN結的結深很淺，以促使少子的漂移。

綜上若光的強度越大，反向電流也就越大，這種特性稱為光導電，而這種現象引起的電流稱為光電流。總的來說光電麻豆国产一区的工作是一個吸收的過程，它將光的變化轉換成反向電流的變化，光照產生電流和暗電流的綜合就是光電流，因此光電麻豆国产一区的暗電流因盡量最小化來提器件對光的靈敏度，光的強度與光電流成正比，因而就可以把光信號轉換成電信號。

PIN光電麻豆国产一区

光電麻豆国产一区的PN結中間摻入一層濃度很低的N型半導體，就可以增大耗盡區的寬度，達到減小擴散運動的影響，提高響應速度的目的。由於這一摻入層的摻雜濃度低，近乎本征（Intrinsic）半導體，故稱I層，因此這種結構成為PIN光電麻豆国产一区。I層較厚，幾乎占據了整個耗盡區。絕大部分的入射光在I層內被吸收並產生大量的電子-空穴對。在I層兩側是摻雜濃度很高的P型和N型半導體，P層和N層很薄，吸收入射光的比例很小。因而光產生電流中漂移分量占了主導地位，這就大大加快了響應速度。
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