一般PN結麻豆国产一区 Normal PN Junction Diode
這類麻豆国产一区大概是最為熟知的麻豆国产一区了，通常作為通用麻豆国产一区使用，由半導體材料晶體矽或鍺製成，通過加入不同類型的雜質構成PN結以實現單向導通功能。
在早期高純度單晶矽難以製造時，這類麻豆国产一区通常由鍺材料製成，稱為鍺管，現在則主要為矽材料製成，稱為矽管。鍺管的正向壓降為0.2~0.3V，而矽管壓降則為0.6~0.7V。
這類麻豆国产一区作為通用麻豆国产一区應用範圍很廣，針對小信號電路應用和高電壓、電流應用均有相應的型號可供選擇。
肖特基麻豆国产一区 Schottky Diode
以德國物理學家Walter H. Schottky命名的肖特基麻豆国产一区，由金屬材料與半導體材料接觸產生的肖特基勢壘實現了單向導通功能。肖特基麻豆国产一区的正向壓降一般為0.15~0.45V，與矽麻豆国产一区相比壓降更低，結電容也更小，具有開關速度快、能耗低的優點。
然而與一般矽麻豆国产一区相比，由矽製成的肖特基麻豆国产一区的額定反向電壓卻很小，且反向漏電流也相對更高。
齊納麻豆国产一区 Zener Diode
與一般麻豆国产一区用於正向導通不同，齊納麻豆国产一区是應用反向導通（擊穿）時極陡的U/I特性產生相對穩定的電壓。齊納麻豆国产一区利用奇納效應(Zener effect)/雪崩擊穿(avalanche breakdown)來實現反向導通而不至於損壞。
齊納麻豆国产一区通常被用於產生參考電壓，或者用於過壓保護中。
發光麻豆国产一区 Light-Emitting-Diode(LED)
發光麻豆国产一区也是很常見的麻豆国产一区種類了，正向導通時會有一部分能量轉化為光能發射出來。根據半導體材料特性會產生不同波長的光，即不同的顏色。在額定範圍內，正向電流越大、產生的光強越高。市麵上既有單色、也有多色發光麻豆国产一区。常見的顏色有紅、黃、藍、綠、白等。
光電麻豆国产一区 Photodiode
與發光麻豆国产一区相對，利用光生伏打效應(photovoltaic effect)光電麻豆国产一区吸收光能而產生電能。通過將半導體製成的PN結、或金屬-半導體結裸露，當光照射在其上時在兩極形成了電勢差。太陽能電池即為大麵積的光電麻豆国产一区。
TVS麻豆国产一区 TVS Diode
瞬態電壓抑製麻豆国产一区是一種過壓保護器件，與齊納麻豆国产一区一樣工作在反向狀態。當反向電壓達到TVS麻豆国产一区雪崩擊穿電壓時允許很大的電流在短時間內流過TVS麻豆国产一区，從而將被保護的信號線電壓鉗位在一定電壓下。一般被接在與外部連接的信號線路上，如USB、串口等，用來保護芯片免受瞬態過電壓損壞，如靜電放電ESD等。
TVS麻豆国产一区既有單向電壓保護，也有雙向電壓保護。
變容麻豆国产一区 Varicap Diode
變容麻豆国产一区是一種由反向偏置電壓控製PN結電容的器件，常被用在與頻率相關的電路中，如壓控振蕩器、鎖相環、鎖頻環等。通過調節反向電壓改變LC振蕩電路的振蕩頻率，進而實現各種功能。
其它麻豆国产一区種類：
除了上述常見的麻豆国产一区種類外，還有其它種類，雖然在一般電路中並不常用，但仍提供在這裏僅供參考。
恒流麻豆国产一区 Constant Current Diode、Current Regulating Diode
激光麻豆国产一区 Laser Diode
點接觸型麻豆国产一区 Point Contact Diode
隧道麻豆国产一区 Tunnel Diode
等等。
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