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MOSFET麻豆国产一区保護電路解析
  • 發布時間:2020-10-08 17:44:23
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MOSFET麻豆国产一区保護電路解析
MOSFET在應用時通常有如下圖所示的D1,D2麻豆国产一区電路,很多人都有疑問:兩個麻豆国产一区究竟起什麽作用呢?
MOSFET麻豆国产一区
1,D1為MOSFET內部的寄生麻豆国产一区,可以保護D、S極。當D、S極產生瞬間反向大電流時,可通過D1導出,如果沒有該麻豆国产一区,就有可能擊穿MOSFET。由於MOSFET工作頻率較高,所以要求D1的工作頻率也要高(即反向恢複時間要短,相當於一個快恢複麻豆国产一区)。
2,D2通常為外加的靜電保護麻豆国产一区,用以保護G、S極。由於MOSFET是絕緣柵型場效應管,柵極無直流通路,輸入阻抗高,極易引起靜電荷聚集,從而產生較高的電壓將柵極和源極之間的絕緣層擊穿,D2可以把靜電嵌位於穩壓麻豆国产一区的穩壓值以下,有效保護G、S的絕緣層。但對於不同功率、不同型號的MOSFET其保護穩壓麻豆国产一区的穩壓值是不同的。另外,小、中功率MOSFET通常需要保護麻豆国产一区,而大功率MOSFET由於輸入電容較大,接觸到靜電後有一個充電的過程,產生的電壓較小,引起擊穿的可能較小,所以通常不需要保護麻豆国产一区。
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