為配合客戶定製開發了一款交錯式PFC的模塊。采用了自主研發的兩顆600V40A的高頻IGBT芯片和兩顆SiC麻豆国产一区。用零反向恢複電流600V15A SiC JBS麻豆国产一区芯片,來最大化IGBT及SiC麻豆国产一区性能。封裝成DIP26模塊，極大的方便終端客戶的裝配。采用真空焊接工藝降低焊接空洞率，保證高絕緣強度的情況下，提高模塊導熱性。

交錯式PFC是一種新興的功率因數校正PFC技術，它將傳統的單個大功率PFC分解為兩個功率減半的並聯PFC，這兩個功率減半的PFC以180°的相位差交替工作。不僅可以減小單個電感的容量，而且可以降低對功率器件的電性要求，改善熱性能，同時可以減小電流紋波，進而減小升壓電容均方根電流及係統損耗。常規的交錯式PFC由高頻IGBT及FRD麻豆国产一区組成，但FRD麻豆国产一区在關斷時釋放開通過程中存儲的少數載流子，形成較大的反向電流，不僅增加了升壓麻豆国产一区的損耗，而且這些反向電流也會通過高頻IGBT，造成高頻IGBT更大的開通損耗，惡化了高頻IGBT的性能。同時產生很高的di/dt，形成嚴重的電磁幹擾。SiC的JBS麻豆国产一区以多數載流子電子作為電流的媒介，不同於以少數載流子傳輸電流的FRD麻豆国产一区，它的反向恢複電流幾乎是0，可以降低高頻IGBT及升壓麻豆国产一区的開關損耗，減小器件的電壓及電流應力，改善電磁幹擾。
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