在電子電路中，MOS管和IGBT管會經常使用，它們都可以作為開關元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相似，為什麽有些電路中使用MOS管？而有些電路用IGBT管？
現在來講解一下，MOS管和IGBT管到底有什麽區別！
場效應管主要分兩種類型，分別是結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管，由於這種場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應管，MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
有的MOSFET內部有個麻豆国产一区，這是體麻豆国产一区，或者叫寄生麻豆国产一区、續流麻豆国产一区。
寄生麻豆国产一区的作用，兩種解釋：
1、MOSFET的寄生麻豆国产一区，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管，因為在過壓對MOS管造成破壞之前，麻豆国产一区先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。
2、防止MOS管的源極和漏極反接時燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的複合型半導體器件，IGBT作為新型電子半導體器件，具有輸入阻抗高，電壓控製功耗低，控製電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中廣泛應用。
IGBT的電路符號沒有統一，畫原理圖時一般是借用三極管、MOS管的符號，這時可以從原理圖上標注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。
同時還要注意IGBT有沒有體麻豆国产一区，圖上沒有標出並不表示一定沒有，除非官方資料有特別說明，否則這個麻豆国产一区是存在。
IGBT內部的體麻豆国产一区並非寄生的，而是為了保護IGBT脆弱的反向耐壓而特別設置的，又稱為FWD（續流麻豆国产一区），判斷IGBT內部是否有體麻豆国产一区也並不困難，可以用萬用表測量IGBT的C極和E極，如果IGBT是好的，C、E兩極測得電阻值無窮大，則說明IGBT沒有體麻豆国产一区。
MOS管和IGBT管的內部結構如下圖
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。
IGBT的理想等效電路如下圖，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。
另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢於MOSFET，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由於IGBT關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。
在電路中，選用MOS管作為功率開關管還是選擇IGBT管，如果從係統的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮，可以總結出以下幾點：
總的來說，MOSFET優點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現卓越，其導通電阻小，耐壓高。
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