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麻豆国产一区、三極管、MOS管、橋堆

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常用電子元器件簡單分析-麻豆国产一区
  • 發布時間:2020-10-30 17:58:29
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常用電子元器件簡單分析-麻豆国产一区
幾乎在所有的電子電路上,都要用到麻豆国产一区,它在許多電路中起著重要作用,它是誕生最早的半導體器件之一。
麻豆国产一区
麻豆国产一区原理圖
麻豆国产一区分類
麻豆国产一区種類很多:接照所用的半導體材料劃分,可分為鍺麻豆国产一区(Ge管)和矽麻豆国产一区(si管);根據其不同用途,可分為檢波麻豆国产一区、整流麻豆国产一区、穩壓麻豆国产一区、開關麻豆国产一区、隔離麻豆国产一区、肖特基麻豆国产一区、發光麻豆国产一区等;按照管芯結構,又可分為點接觸型麻豆国产一区、麵接觸型麻豆国产一区及平麵型麻豆国产一区。
麻豆国产一区的導電特性
麻豆国产一区最重要的特性就是單向導電性。在電路中,電流隻能從麻豆国产一区的正極流入,負極
流出。下麵通過簡單的實驗說明麻豆国产一区的正向特性和反向特性。
①正向特性
在電子電路中,將麻豆国产一区的正極接在高電位端,負極接在低電位端,麻豆国产一区就會導通,這種連接方式,稱為正向偏置。必須說明,當加在麻豆国产一区兩端的正向電壓很小時,麻豆国产一区仍然不能導通,流過麻豆国产一区的正向電流十分微弱。隻有當正向電壓達到某一數值(這一數值稱為“門檻電壓”,鍺管約為0.2V,矽管約為0.6V)以後,麻豆国产一区才能真正導通。導通後麻豆国产一区兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3V,矽管約為0.7V),稱為麻豆国产一区的“正向壓降”。
②反向特性
在電子電路中,麻豆国产一区的正極接在低電位端,負極接在高電位端,此時麻豆国产一区中幾乎沒有電流流過,此時麻豆国产一区處於截止狀態,這種連接方式,稱為反向偏置。麻豆国产一区處於反向偏置時,仍然會有微弱的反向電流流過麻豆国产一区,稱為漏電流。當麻豆国产一区兩端的反向電壓增大到某一數值,反向電流會急劇增大,麻豆国产一区將失去單向導電特性,這種狀態稱為麻豆国产一区擊穿。
麻豆国产一区應用電路
圖1是太陽能電站控製器設計中電源降壓部分電路圖,圖1中左邊輸入連接電站蓄電池組,該電壓變化範圍為48 ~65V,通過本電路後,在最右端標注47V處可以輸出穩定的46.3V左右的電壓,該電壓直接接DC-DC模塊輸入端,模塊的輸出端就可得到日韩国产成人需要的+15V或其他電壓。別看這個電路僅有7個元件,但它們中的每個元件發揮的作用都是非常大的,這7個元件中有三個屬於麻豆国产一区,可見麻豆国产一区在電路中的重要性,下麵對該電路圖所有元件進行詳細介紹。
麻豆国产一区
圖1 麻豆国产一区應用電路
①RN1大家千萬別認為RN1是一個電容,隻是原理圖中它長的像電容而已,這是一個1A的自恢複保險,當流過RN1的電流超過1A時,該元件就會自動切斷電路。加入該元件的主要目的是為了防止電路板上發生短路或過流時損壞電路板上元件,當電路中有短路現象時,電流會在瞬間達到很大值,通過RN1的電流隻要超過1A就會自動切斷電流,從而有效地保護電路。當短路現象解除,電流降下來時,RN1 又會重新接通,這就是所謂的“自恢複保險”。
②Z1這是一個1.5KE100V瞬態抑製麻豆国产一区,它主要的作用是防止電路板遭遇雷擊。瞬態抑製麻豆国产一区又叫瞬態抑製器,Z1可以承受最大1.5kV 的瞬間電壓,但它隻能允許低了100V的電壓通向D1,高於100V的電壓會被它全部吸收,由此可知該瞬態抑製麻豆国产一区在這裏起到防止過壓進而保護電路的作用。需要注意,高於100V的電壓不可長時間加在它的兩端。
③D1普通麻豆国产一区1N4007,這裏起單向導電作用,如果用戶不小心將蓄電池極性接反,因為有這個麻豆国产一区的存在,電路也不會形成回路,從而保護電路板上元件不被損壞。
④Q1是NPN型三極管,主要起擴流的作用,前端來的電壓經過4.7k電阻和47V穩壓管穩壓後,電流會變得非常弱小,必須使用該三極管放大電流後才可供給後級使用。
⑤DW1是47V穩壓麻豆国产一区。穩壓麻豆国产一区必須反向接才能正常工作,如圖1所示,本電路將前端高於47V的電壓穩定在47V,R1用來消耗損失掉的這部分電壓,由此可見,穩壓麻豆国产一区必須和電阻配合使用才能起到穩壓的作用。比如前端電壓為55V,穩壓到47V後,必須有一電阻來承受這8V的壓降,電阻的阻值也要合理選擇,需要計算通過它的電流,還要計算下一級三極管的電流放大倍數,再結合負載最大功率最終選取合適電阻。如果穩壓麻豆国产一区用在一般僅提供穩定電壓的電路上,那這個擴流三極管可以省去,穩壓麻豆国产一区的陰極直接輸出電壓就可以。
⑥C1是濾波電容,濾除尖峰脈衝,保持三極管Q1輸出端電壓更加穩定。
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