MOS管晶圓是什麽
晶圓是指製作矽半導體積體電路所用的矽晶片，其原始材料是矽。高純度的多晶矽溶解後摻入矽晶體晶種，然後慢慢拉出，形成圓柱形的單晶矽。矽晶棒在經過研磨，拋光，切片後，形成矽晶圓片，也就是晶圓。
目前國內晶圓生產線以8英寸和12英寸為主。晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時加工1片或多片晶圓。隨著半導體特征尺寸越來越小，加工及測量設備越來越先進，使得晶圓加工出現了新的數據特點。同時，特征尺寸的減小，使得晶圓加工時，空氣中的顆粒數對晶圓加工後質量及可靠性的影響增大，而隨著潔淨的提高，顆粒數也出現了新的數據特點。
MOS管晶圓-性能參數
矽晶圓和矽太陽能電池分別是半導體材料和半導體器件的典型代表。半導體特性參數衡量和表征材料及其器件的性能。
由於載流子是半導體材料及器件的功能載體，載流子移動形成電流及電場，同時載流子具有發光、熱輻射等特性，因此載流子參數是表征半導體材料及器件載流子輸運特性的基礎，即載流子參數是矽晶圓和矽太陽能電池特性參數的重要組成部分。
當矽晶圓經過加工、製造形成矽太陽能電池後，由於 pn 結和費米能級的差異，導致載流子分離形成電壓，進而有飽和電流、填充因子和光電轉化效率等電性能參數直觀反映並影響太陽能電池伏安特性。
綜上分析，矽晶圓的主要特性參數包括載流子參數。載流子分為多數載流子和少數載流子，包括電子和空穴。載流子擴散和漂移形成電流構成半導體器件傳遞信息的基礎。載流子輸運參數是描述載流子運動和濃度的基本參數，主要包括載流子壽命、擴散係數及前、後表麵複合速率等。
這些參數直接反映了半導體材料的物理特性和電學性能，影響載流子濃度、遷移率；摻雜濃度是決定載流子濃度另一重要參數，影響材料電阻率和載流子壽命等參數，決定器件性能。
載流子濃度
多數半導體器件為少數載流子器件，如矽太陽能電池。本文後續提到的載流子參數均為少數載流子參數。半導體在熱平衡狀態下，空穴和電子濃度相等，此時為穩態；當受到外部激勵（光、電、熱等能量激勵）時，半導體處於非平衡狀態，電子和空穴均增加，形成過剩載流子。載流子壽命（lifetime），是指過剩載流子平均存在時間，載流子濃度滿足指數衰減規律。
載流子壽命
載流子壽命根據載流子複合類型可分為輻射複合壽命、俄歇複合壽命以及Shockley-Read-Hal（SRH）複合壽命。載流子壽命是反映材料和器件缺陷濃度的重要參數，也是衡量器件開關速度、電流增益、電壓等特性的重要指標，同時對半導體激光器、光電探測器以及太陽能電池等光電子器件的電光和光電轉化效率起到重要作用。
表麵複合速率
載流子既在材料體內發生複合也在表麵發生複合。表麵複合壽命或表麵複合速率（Surfacerecombination velocity，s）是描述載流子在表麵複合快慢的物理量。
表麵複合壽命越大說明表麵複合速率越低，反之，表麵複合速率越高。表麵粗糙度、表麵懸掛鍵等表麵物理性質和狀態是影響表麵複合速率的關鍵。表麵複合速率是表征材料的表麵質量的重要性能參數。
有效壽命
載流子有效壽命是將體壽命和表麵複合壽命綜合的參數，是特定樣件載流子整體壽命的表征。目前大多數檢測技術檢測的載流子壽命為載流子有效壽命，無法將體壽命和表麵複合速率分離，因此很難逐一分析表麵處理工藝、體內缺陷和摻雜等過程對矽晶圓和太陽能電池性能的影響。
擴散係數
擴散係數（Diffusion coefficient，D）是表征在單位時間單位麵積上，載流子通過界麵快慢的物理量。擴散係數和載流子壽命共同決定載流子擴散長度（Diffusion length），擴散長度是評價材料性能的典型參數，載流子擴散長度越長材料質量越好；對於太陽能電池來說，載流子擴散長度越長載流子分離和收集效率越好、光電轉化效率越高。
摻雜
摻雜是形成功能半導體的必要環節，摻雜濃度對電阻率和載流子輸運參數有著重要影響。本征半導體，即不摻雜半導體，常溫時電阻率非常高，隨著摻雜濃度增加，電阻率降低，載流子壽命和擴散長度逐漸降低。
MOS管晶圓-晶圓尺寸概念
晶圓是最常用的半導體材料，按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規格，近來發展出12英寸甚至研發更大規格（14英寸、15英寸、16英寸、……20英寸以上等）。
晶圓越大，同一圓片上可生產的IC就越多，可降低成本；但對材料技術和生產技術的要求更高。一般認為矽晶圓的直徑越大，代表著這座晶圓廠有更好的技術.在生產晶圓的過程當中，良品率是很重要的條件。
晶圓是原材料加工上的稱呼，PCB主板上插接件如cpu、麻豆国产一区等都是由晶圓加工而來的。目前市麵上出現的晶圓直徑是分為150mm，300mm以及450mm這三種，晶圓切割成好多小的後，形狀不一的正方形、長方形等都有的。
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