一、50N06參數中文
產品特征：
RDS(on) =10.5m@ VGS =10V
提供無鉛綠色設備
低Rds開啟，最大限度地減少導電損
高雪崩電流
二、50n06參數中文
產品用應：
電源
不間斷電源
電池管理係統
Mosfet參數含義說明-50n06參數中文
Vds：DS擊穿電壓.當Vgs=0V時，MOS的DS所能承受的最大電壓
Rds(on)：DS的導通電阻.當Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻
Id：最大DS電流.會隨溫度的升高而降低
Vgs:最大GS電壓.一般為：-20V~+20V
Idm:最大脈衝DS電流.會隨溫度的升高而降低，體現一個抗衝擊能力，跟脈衝時間也有關係
Pd:最大耗散功率
Tj:最大工作結溫，通常為150度和175度
Tstg:最大存儲溫度
Iar:雪崩電流
Ear:重複雪崩擊穿能量
Eas:單次脈衝雪崩擊穿能量
BVdss：DS擊穿電壓
Idss:飽和DS電流，uA級的電流
Igss:GS驅動電流，nA級的電流.
gfs:跨導
Qg:G總充電電量
Qgs:GS充電電量
Qgd:GD充電電量
Td(on):通延遲時間，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間
Tr:上升時間，輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間
Td(off):關斷延遲時間，輸入電壓下降到90%開始到VDS上升到其關斷電壓時10%的時間
Tf:下降時間，輸出電壓VDS從10%上升到其幅值90%的時間。
Ciss:輸入電容，Ciss=Cgd+Cgs.
Coss:輸出電容，Coss=Cds+Cgd.
Crss:反向傳輸電容，Crss=Cgc.
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