場效應管與晶體管的比較
（1）場效應管是電壓控製器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控製器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流極小的情況，應選用場效應管。
（2）場效應管是多子導電，而晶體管的兩種載流子均參與導電。由於少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對於環境變化較大的場合，采用場效應管比較合適。
（3）場效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關外，還可作壓控可變線性電阻使用。
（4）場效應管的源極和漏極在結構上是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵-源電壓可正可負。因此，使用場效應管比晶體管靈活。
（5）場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的製造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊矽片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。
場效應管與晶體管的比較-結構異同
電極使用
雙極型晶體管:分為基極(b)集電極(c)，發射極(e)。其中c、e電極不能互換使用
場效應管:分為柵極(g) ，源極(s)，漏極(d) 。其中d、s一般可以互換使用
載流子與輸入量
雙極型晶體管:載流子有多子、少子兩種。輸入量為電流。
場效應管:載流子為一種(空穴或自由電子)。輸入量為電壓。
輸入電阻
雙極型晶體管:低(幾十歐到幾千歐)
場效應管:高(幾兆歐以上)，iG≈0
雙極性晶體管：
電流控製電流源CCCS(β)，噪聲係數較大，熱穩定性差，不易受靜電影響，不易大規模集成，大電流特性好，耗電多，電源電壓範圍窄。
場效應管:
電壓控製電流源VCCS(gm)，噪聲係數較小，熱穩定性較好，易受靜電影響，適宜大規模和超大規模集成，大電流特次之，耗電省，電源電壓範圍寬。
電極
雙極型晶體管的基極B、發射極E、集電極C與場效應管的柵極G、源極S和漏極D相對應。
放大電路
場效應管基本放大電路由三種組態，即共柵組態基本放大電路、共源組態基本放大電路和共漏組態機基本放大電路，與雙極型晶體管基本放大電路的共基組態基本放大電路、共射組態基本放大電路和共集組態基本放大電路相對應。
場效應管與晶體管的比較-使用優勢
場效應管是電壓控製元件，而晶體管是電流控製元件。在隻允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。
場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱之為雙極型器件。
有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比三極管好。
場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的製造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊矽片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。
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