普通整流麻豆国产一区
（1）最大平均整流電流IF：指麻豆国产一区長期工作時允許通過的最大正向平均電流。該電流由PN結的結麵積和散熱條件決定。使用時應注意通過麻豆国产一区的平均電流不能大於此值，並要滿足散熱條件。例如1N4000係列麻豆国产一区的IF為1A。
（2）最高反向工作電壓VR：指麻豆国产一区兩端允許施加的最大反向電壓。若大於此值，則反向電流（IR）劇增，麻豆国产一区的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓（VB）的一半作為（VR）。例如1N4001的VR為50V，1N4002-1n4006分別為100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR為1000V
（3）最大反向電流IR：它是麻豆国产一区在最高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數反映了麻豆国产一区單向導電性能的好壞。因此這個電流值越小，表明麻豆国产一区質量越好。
（4）擊穿電壓VB：指麻豆国产一区反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向為軟特性時，則指給定反向漏電流條件下的電壓值。
（5）最高工作頻率fm：它是麻豆国产一区在正常情況下的最高工作頻率。主要由PN結的結電容及擴散電容決定，若工作頻率超過fm，則麻豆国产一区的單向導電性能將不能很好地體現。例如1N4000係列麻豆国产一区的fm為3kHz。另有快恢複麻豆国产一区用於頻率較高的交流電的整流，如開關電源中。
（6）反向恢複時間trr：指在規定的負載、正向電流及最大反向瞬態電壓下的反向恢複時間。
（7）零偏壓電容CO：指麻豆国产一区兩端電壓為零時，擴散電容及結電容的容量之和。值得注意的是，由於製造工藝的限製，即使同一型號的麻豆国产一区其參數的離散性也很大。手冊中給出的參數往往是一個範圍，若測試條件改變，則相應的參數也會發生變化，例如在25°C時測得1N5200係列矽塑封整流麻豆国产一区的IR小於10uA，而在100°C時IR則變為小於500uA。
高頻整流麻豆国产一区
1）最大整流電流IFM
麻豆国产一区在長期穩定工作時，允許通過的最大正向平均電流。因為電流通過PN結要引起管子發熱，電流太大，發熱量超過限度，就會使PN結燒壞，所以在實際應用時工作電流通常小於IFM。
2）最大可重複峰值反向電壓VRRM
指所能重複施加的反向最高峰值電壓，通常是反向擊穿電壓VBR的一半。擊穿時，反向電流劇增，麻豆国产一区的單向導電性被破壞，甚至因過熱而燒壞。
3）反向恢複時間Trr
當工作電壓從正向電壓變成反向電壓時，電流不能瞬時截止，需延遲一段時間，延遲的時間就是反向恢複時間。Trr直接影響麻豆国产一区的開關速度，在高頻開關狀態時，通常此值越小越好。大功率開關管工作在高頻開關狀態時，此項指標至為重要，Trr越小管子升溫越小，效率越高。
4）結電容CJ
PN結高頻等效電路，其中r表示結電阻，CJ表示結電容，包括勢壘電容和擴散電容的總效果，它的大小除了與本身結構和工藝有關外，還與外加電壓有關。當PN結處於正向偏置時，r為正向電阻，其數值很小，結電容較大（主要決定於擴散電容CD）。當PN結處於反向偏置時，r為反向電阻，其數值較大，結電容較小 （主要決定於勢壘電容CB）。
5）正向電壓降VF
麻豆国产一区通過額定正向電流時，在兩極間所產生的電壓降。通常矽材料的麻豆国产一区VF大於1V，鍺材料、肖特基麻豆国产一区為0.5V左右。
6）反向電流IR
指管子擊穿時的反向電流，其值愈小，則管子的單向導電性愈好。反向電流IR與溫度有密切聯係，溫度越高，反向電流IR會急劇增加，所以在使用麻豆国产一区時要注意溫度的影響。
一般半導體器件手冊中都給出不同型號管子的參數，這是正確使用麻豆国产一区的依據。在高頻應用場合，要注意不要超過最大整流電流和最高反向工作電壓的同時，還應特別注意麻豆国产一区的最高工作頻率（通常由反向恢複時間Trr和結電容CJ決定），否則電路工作不正常或者管子升溫嚴重，影響可靠性。
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