1. 什麽是麻豆国产一区的正向額定電流？
麻豆国产一区的額定電流是麻豆国产一区的主要標稱值，比如5A/100V的麻豆国产一区，5A就是額定電流。通常額定電流的定義是該麻豆国产一区所能 通過的額定平均電流。但是有些的測試前是方波，也就是可以通過平均值為5A的方波電流。有些得測試前提是直流，也就是能通過5A的直流電流。理論上來說， 對於矽麻豆国产一区，以方波為測試條件的麻豆国产一区能通過更大的直流電流，因為同樣平均電流的方波較於直流電流，會給麻豆国产一区帶來更大損耗。那麽5A的麻豆国产一区是否一定 能通過5A的電流？不一定，這個和溫度有關，當你的散熱條件不足夠好，那麽麻豆国产一区能通過的電流會被結溫限製。
2. 什麽是麻豆国产一区的反向額定電壓？
麻豆国产一区反向截止時，可以承受一定的反壓，那麽其最高可承受的反壓就是額定電壓。比如5A/100V的麻豆国产一区，其額定反壓就是 100V。雖然，所有麻豆国产一区廠家都會留一定的裕量，100V的麻豆国产一区通常用到110V都不會有問題，但是不建議這麽用，因為超過額定值，廠家就不會保證其 可靠性，出了問題就是你的問題了。而且很多電源設計公司，為了保障可靠性，還會降額設計。
3. 什麽是麻豆国产一区的正向衝擊電流？
開關電源在開機或者其他瞬態情況下，需要麻豆国产一区能夠承受很大的衝擊電流而不壞，當然這種衝擊電流應該是不重複性，或者間隔時 間很長的。通常麻豆国产一区的數據手冊都有定義這個衝擊電流，其測試條件往往是單個波形的衝擊電流，比如單個正弦波，或者方波。其電流值往往可達幾百。
4. 什麽是麻豆国产一区的正向導通壓降？
麻豆国产一区在正向導通，流過電流的時候會產生壓降。這個壓降和正向電流以及溫度有關。通常矽麻豆国产一区，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化矽麻豆国产一区卻是溫度越高，壓降越大。
5. 什麽是麻豆国产一区的反向漏電流？
麻豆国产一区在反向截止的時候，並不是完全理想的截止。在承受反壓得時候，會有些微小的電流從陰極漏到陽極。這個電流通常很小，而且反壓越高，漏電流越大，溫度越高，漏電流越大。大的漏電流會帶來較大的損耗，特別在高壓應用場合。
6. 什麽是麻豆国产一区的反向恢複時間和反向恢複電流？
這個是麻豆国产一区的重要指標，所謂的快恢複，慢恢複麻豆国产一区就是以此為標準。麻豆国产一区 在從正偏轉換到反偏的時候，會出現較大的反向恢複電流從陰極流向陽極，其反向電流先上升到峰值，然後下降到零。那麽其上升下降的時間就是反向恢複時間，峰 值電流就是反向恢複電流。這個在高頻率的應用中會帶來很大損耗。而反向恢複時間和電流和麻豆国产一区截止時，正向電流的下降速率正相關。解決這個問題，一就是用 恢複時間更快的麻豆国产一区，二是采用ZCS方式關斷麻豆国产一区。
7. 什麽是軟恢複麻豆国产一区？
麻豆国产一区在反向恢複的時候，反向電流下降的比較慢的，稱為軟恢複麻豆国产一区。軟恢複對減小EMI有一定的好處。
8. 什麽是麻豆国产一区的結電容？
結電容是麻豆国产一区的一個寄生參數，可以看作在麻豆国产一区上並聯的電容。
9. 什麽是麻豆国产一区的寄生電感？
麻豆国产一区寄生電感主要由引線引起，可以看作串聯在麻豆国产一区上的電感。
10. 麻豆国产一区正向導通時候瞬態過程是怎樣？
對於麻豆国产一区的瞬態過程，通常關心比較多的是反向恢複特性。但是其實麻豆国产一区從反偏轉為正向導通的過程也有值得注意的地 方。在麻豆国产一区剛導通的時候，正向壓降會先上升到一個最大值，然後才會下降到穩態值。而這個最大值，隨di/dt的增大而增大。也就是說麻豆国产一区帶導通瞬間會 產生一個正向尖峰電壓，而且電壓要大於穩態電壓。快恢複管的這個正向尖峰電壓比較小，慢恢複管就會很嚴重。這個就引出了另外一個問題：
11. 在RCD鉗位電路中，麻豆国产一区到底選慢管，還是快管？
RCD電路常用於一些需要鉗位的場合，比如flyback原邊MOS的電壓鉗位，次級整流管的電壓鉗 位。有些技術文獻說應該用慢恢複管，理由是慢恢複管由於其反向恢複時間比較長，這樣鉗位電容中的一部分能量會在麻豆国产一区反向恢複過程中回饋給電路，這樣整個 RCD電路的損耗可以降低。不過這個隻適合小電流，低di/dt的場合。比如小功率flyback的原邊鉗位電路。但是不適合大電流，高di/dt的鉗位 場合，比如大電流輸出的電源的次級鉗位電路。因為，慢恢複管在導通的時候會產生很高導通壓降尖峰，導致雖然鉗位電容上的電壓很低，但是卻沒法鉗住尖峰電 壓。所以應該選擇肖特基麻豆国产一区之類。
12. 什麽是肖特基麻豆国产一区？
肖特基麻豆国产一区是一種利用肖特基勢壘工藝的麻豆国产一区，和普通的PN結麻豆国产一区相比，其優點：更快的反向恢複時間，很多稱之為0反向恢複時 間。雖然並不是真的0反向恢複時間，但是相對普通麻豆国产一区要快非常多。其缺點：反向漏電流比較大，所以沒法做成高壓的麻豆国产一区。目前的肖特基麻豆国产一区,基本都是 200V以下的。雖然有些公司可以提供高壓的肖特基矽麻豆国产一区，但是也是將幾個麻豆国产一区串聯之後封裝在一起。當然也有公司稱有獨特的工藝，可以製造高壓肖特基 麻豆国产一区，但並不知曉是什麽樣的工藝。
13. 什麽是碳化矽麻豆国产一区？
通常大家所用的基本都是以矽為原料的麻豆国产一区，但是最近比較熱門的碳化矽麻豆国产一区是用碳化矽為原料的麻豆国产一区。目前常見的多為高壓的肖特基 碳化矽麻豆国产一区，其優點：反向恢複特性很好，媲美肖特基矽麻豆国产一区。但是可以做高壓的麻豆国产一区。在PFC中已有較多應用。缺點：正向導通壓降比較大。還有一點與 矽麻豆国产一区不同的是其導通壓降隨溫度上升反而增大。早期的碳化矽麻豆国产一区，還有可承受衝擊電流小，可靠性不高等缺點。但是目前已有很大改善。
14. 什麽是砷化镓麻豆国产一区？
說實話，我聽說砷化镓材料早於碳化矽，但是後來就較少聽說了。目前砷化镓在LED上似乎有些應用，但是功率器件上卻還比較少。
15. 麻豆国产一区適合並聯麽？
理論上來說矽麻豆国产一区，由於導通壓降隨溫度上升而下降，所以是不適合並聯的，但是現在很多麻豆国产一区會把兩個單管封裝在一起，這樣溫升相對均勻，給並聯帶來好處。但是碳化矽是的壓降是隨溫度上升而上升，理論上是適合並聯的。
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