功率麻豆国产一区的主要類型
1. 普通麻豆国产一区
又稱整流麻豆国产一区
多用於開關頻率不高（1kHz以下）的整流電路中其反向恢複時間較長，一般在5?s以上，這在開關頻率不高時並不重要正向電流定額和反向電壓定額可以達到很高，分別可達數千安和數千伏以上
2. 快速恢複麻豆国产一区（Fast Recovery Diode—FRD）
從性能上可分為快速恢複和超快速恢複兩個等級。前者反向恢複時間為數百納秒或更長，後者則在100ns以下，甚至達到20~30ns。
分為PN結型結構和PIN結構兩種。采用外延型PIN結構的的快速恢複外延麻豆国产一区（Fast Recovery Epitaxial Diodes—FRED），其反向恢複時間比較短（可低於50ns），正向壓降也很低（0.9V左右），但其反向耐壓多在1200V以下。
3. 肖特基麻豆国产一区
以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的麻豆国产一区稱為肖特基勢壘麻豆国产一区（Schottky Barrier Diode——SBD），簡稱為肖特基麻豆国产一区20世紀80年代以來，由於工藝的發展得以在電力電子電路中廣泛應用
肖特基麻豆国产一区的優點
反向恢複時間很短（10~40ns）正向恢複過程中也不會有明顯的電壓過衝在反向耐壓較低的情況下其正向壓降也很小（一般0.5V左右），明顯低於快速恢複麻豆国产一区（一般1V左右）
其開關損耗和正向導通損耗都比快速麻豆国产一区還要小，效率高 肖特基麻豆国产一区的弱點
當反向耐壓提高時其正向壓降也會高得不能滿足要求，因此多用於200V以下反向漏電流較大且對溫度敏感，因此反向穩態損耗不能忽略，而且必須更嚴格地限製其工作溫度.
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