電撬設備
該類抑製器具有“電撬”特性，通常與4層NPNP矽控雙極裝置或等離子氣體/GDT裝置有關。 一旦達到閾值或轉折電壓，則電流的進一步增加將導致設備快速導電，其正向電壓降僅為幾伏。 實質上，線路在發生瞬態現象時將處於暫時的“短路”狀態。
工作溫度範圍
設備應用電路的最低和最高環境工作溫度。 工作溫度不能對鄰近元件造成影響，這是設計人員必須考慮的一個參數。
電容
允許電路元件儲存電荷的電路元件屬性。 在電路保護中，斷態電容通常是在頻率1 MHz、偏壓2 V下測得的。
反向斷態電壓（VR）
對單向瞬態抑製麻豆国产一区而言，在無大電流的情況下，這是可用於閉鎖方向的最大峰值電壓。 對雙向瞬態而言，它適應於任一方向。 其含義與最大斷態電壓和最高工作電壓相同。
擊穿電壓（VBR）
在指定的直流測試電流下測得的擊穿電壓，通常為1mA。 通常會說明最大與最小值。
峰值脈衝電流（IPP）
可重複施加的最大脈衝電流。 若經說明，通常可以是10x1000μs雙指數波形，也可以是8x20μs。
最大鉗位電壓（VC 或VCI）
在出現最大峰值脈衝電流時，可從保護器上測得的最大電壓。
峰值脈衝功率（PPP）
以瓦或千瓦表示，1ms指數瞬態值（請參閱第23頁的圖1），是IPP和VCL的乘積。
瞬態抑製麻豆国产一区TVS的基本知識
麻豆国产一区是大家熟悉的元件，但瞬態抑製麻豆国产一区就可能不太熟悉了。本文將介紹這種特殊麻豆国产一区的用途、 工作原理等基本知識。
各種電子設備中的各種半導體器件，一般都在直流低電壓範圍各作;如果在電源中串入一個瞬間上百伏甚室上千伏的高電壓脈衝，就有可能將電路中的半導體器件擊穿。例如，人體往往帶有靜電。放電時的電壓脈衝可達幾百狀到上千伏。瞬態抑製麻豆国产一区可用來保護電路，不使這種瞬態高壓脈衝損壞半導體器件。
從穩壓麻豆国产一区說起
穩壓麻豆国产一区是大家比較熟悉的器件，其基本工作電路如圖1所示。VIN是輸入電壓,R 是限流電阻、 VDz是穩壓麻豆国产一区。VIN可以在很大範圍內變化，隻要限流電阻有足夠大，使產生的 IZ 電流在允許範圍內、則輸出電壓VZ 變化是很小的。穩壓麻豆国产一区工作在反向擊穿狀態。它電流變化 △I 較大，但愉出電壓變化△V甚小，起到穩壓作用。當VIN 的電壓已超過可以擊穿電路的半導體器件的電壓時，由於穩壓麻豆国产一区輸出電壓Vz基本不變，電路仍能正常工作。
瞬態抑製麻豆国产一区簡介
瞬態抑製麻豆国产一区的結構與穩壓麻豆国产一区相似，連符號也一樣。
瞬態抑製麻豆国产一区(TVS)工作原理與穩壓麻豆国产一区一樣，但結構上有差別。其最大的差別是一般穩壓麻豆国产一区組成的 PN 結麵積很小。它能承受的反向電流較小。一般小功率穩壓管 (0.5-1W)其最大反向龜流為幾十毫安到幾百毫安。而瞬態抑製麻豆国产一区的PN結麵積較大，可耗散的功率較大，允許最大的反向電流可達幾安 到幾十安。因此它可以吸收瞬時高電壓脈衝所造成的瞬間大電流。一般穩壓麻豆国产一区是0.5-3W, 而瞬間二 極管達300w到1500W ，有些用於高壓的可達1OkW 以上。
例如，一種反向擊穿電壓Vbr為6.4-7.3V、耗散g功率為500W 的瞬態麻豆国产一区，它能承受的最大脈衝電流 IPP是52- 54A。
利用瞬態麻豆国产一区作保護的電路如圖2所示，它並聯在保護的電路上。要注意的是它不需要限流電阻R。如 果被保護的電路工作電壓是+5V,則可選6.5- 7V擊穿的麻豆国产一区。在正常工作時，瞬態麻豆国产一区不工作，相當開路;當工作電壓中有瞬間高壓脈衝時，瞬態麻豆国产一区在高壓脈衝作用瞬間被籍位於9V左右，這瞬間9V電壓對 5V 工作的電路是安全的。當高壓脈衝過去後，瞬態麻豆国产一区又相當開路，由此可見在電源電壓正常時(或略有波動時)瞬態麻豆国产一区不工作，也不損耗電路。在有瞬間高壓脈衝時，它吸收了瞬間大電流而鉗位在比工作電源略高的電壓上保護了電路。它可以反複使用，有很長收使用壽命。
圖3的電路能對正瞬態脈衝鉗位，為能在正反脈衝時都能起保護作用，可采用圖4 雙向瞬間麻豆国产一区，它相當於 兩個瞬態麻豆国产一区反相串聯在一起。不論正負瞬態高壓脈衝都可以獲得保護，並且不影響電路的正常工作。
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