雙向觸發麻豆国产一区DB3

工作原理：麻豆国产一区、晶體麻豆国产一区為一個P型和N型半導體半導體PN結的形成及其形成兩邊的界麵空間電荷層，並建自建電場。當外加電壓不存在，是由於PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電流所造成的，同時漂移，並在平衡狀態。當外麵的世界有著積極的偏壓，外電場與電場的相互自我抑製的作用，在消除承運人增加，從目前的擴散正向電流。當外麵世界的反向偏壓，外電場和電場，以進一步加強自身建設，在某種形式的反向電壓和反向偏置電壓值無關的反向飽和電流i0 。當反向電壓應用到一定程度， PN結的空間電荷層的臨界電場強度值承運人乘法過程中，大量的電子空穴對，有相當部分的數值反向擊穿電流，擊穿現象被稱為麻豆国产一区。 該類型的麻豆国产一区 有許多類型的麻豆国产一区，根據半導體材料的使用，可分為鍺麻豆国产一区（葛管）和矽麻豆国产一区（矽管） 。根據其不同用途，可分為探測器麻豆国产一区，整流麻豆国产一区，麻豆国产一区調節器，開關麻豆国产一区，隔離麻豆国产一区，肖特基麻豆国产一区，發光麻豆国产一区等。根據該核心結構，可分為點接觸麻豆国产一区，接觸式平麵麻豆国产一区和麻豆国产一区。麻豆国产一区是一個聯絡點，與一個很小的金屬絲壓在清潔表麵上的半導體芯片，一個脈衝電流，導線接觸到年底晶片牢固燒結在一起，形成一個" PN結" 。點接觸，隻允許通過較小的電流（不超過幾十毫安） ，適用於小型高頻率電流電路，如無線電探測器。接觸麻豆国产一区的" PN結"麵積較大，允許更大的電流（幾的數十個） ，它可以用來變換交流電源到直流"整治"電路。平麵麻豆国产一区是一個特別設計的矽麻豆国产一区，它不僅可以通過更大的電流，而且性能穩定可靠，以及更多交換機，以及高頻率脈衝電路。

雙向觸發麻豆国产一区主要參數和工作原理

DB3 雙向觸發麻豆国产一区 - STAR - 　電子與電器

雙向觸發麻豆国产一区（DIAC）屬三層結構，具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發雙向可控矽 ，在電路中作過壓保護等用途。

圖1是它的構造示意圖。

圖2、圖3分別是它的符號及等效電路，可等效於基極開路、發射極與集電極對稱的NPN型晶體管。

因此完全可用二隻NPN晶體管如圖4連接來替代。

雙向觸發麻豆国产一区正、反向伏安特性幾乎完全對稱（見圖5）。

當器件兩端所加電壓U低於正向轉折電壓V(bo)時，器件呈高阻態。當U>V(B0)時，管子擊穿導通進入負阻區。

同樣當U大於反向轉折電壓V(br)時，管子同樣能進入負阻區。轉折電壓的對稱性用△V(B)表示。

△V(b)=V(bo)-V(br)。

一般△V(B)應小於2伏。

雙向觸發麻豆国产一区的正向轉折電壓值一般有三個等級：20-60V、100-150V、200-250V。

由於轉折電壓都大於20V，可以用萬用表電阻擋正反向測雙向麻豆国产一区，表針均應不動（RX10k),但還不能完全確定它就是好的。

檢測它的好壞，並能提供大於250V的直流電壓的電源，檢測時通過管子的電流不要大於是5mA。

用晶體管耐壓測試器檢測十分方便。

如沒有，可用兆歐表按圖6所示進行測量（正、反各一次），電壓大的一次V(br)。

例如：

測一隻DB3型麻豆国产一区，第一次為27.5V，反向後再測為28V，

則△V(b)=V(bo)-V(br)=28V-27.5V=0.5V<2V，表明該管對稱性很好。

圖７是雙向觸發麻豆国产一区與雙向可控矽等元件構成的台燈調光電路。

通過調節電位器R2，可以改變雙向可控矽的導通角，從而改變通過燈泡的電流（平均值）實現連續調光。

如果將燈泡換電熨鬥、電熱褥還可實現連續調溫。

該電路在雙向可控矽加散熱器的情況下，可控負載功率可達500W，各元件參數見圖所標注。