肖特基勢壘麻豆国产一区簡稱肖特基麻豆国产一区或肖特基管。
英文全稱：Schottky Barrier Diode
英文縮寫：SBD
肖特基麻豆国产一区，屬於大電流、低功耗、低壓、超高速半導體功率器件。它的正向導通壓降僅為0.4V左右，反向恢複時間極短，可小至幾納秒；其整流電流可高達幾百至幾千安培。這些優良性能是快恢複及超快恢複麻豆国产一区所不具備的。
肖特基麻豆国产一区的工作原理
肖特基麻豆国产一区是用鉬、金、銀等貴金屬為陽極，用N型半導體材料為陰極，利用二者接觸麵上形成的勢壘具有整流特性，從而製成的一種金屬/半導體器件。
肖特基麻豆国产一区屬於五層器件，中間層以N型半導體為基片，上麵用砷作摻雜劑的N-外延層，最上麵用金屬材料鉬構成的陽極。
N型基片具備很小的導通電阻，在基片下麵依次是N+陰極層、金屬陰極。
如下圖所示：典型的肖特基麻豆国产一区的內部結構
典型的肖特基麻豆国产一区的內部結構
近年，采用矽平麵工藝製造的鋁矽肖特基麻豆国产一区，不僅改善了器件參數的一致性、還能節省貴金屬，減少環境汙染。
通過調整結構和參數，能在基片與陽極金屬之間形成合適的肖特基墊壘。
當加上正偏壓E時，勢壘寬度W0變窄；加負偏壓-E時，勢壘寬度W0變寬，如下圖所示：
外加偏壓時勢壘寬度的變化情況
肖特基麻豆国产一区僅僅隻用一種載流子(電子)輸送電荷，然而在勢壘的外側無過剩的少數載流子積累，所以它不存在電荷儲存效應，這個特性使得開關特性得到明顯改善，反向恢複時間能縮短到10ns以內。但是存在一個缺陷，反向耐壓較低，一般不超過100V，使得它僅適宜在低電壓、大電流下工作。它的低正向壓降特性，能提高大電流整流(或續流)電路的效率。
肖特基麻豆国产一区的典型伏安特性如下圖所示：
肖特基麻豆国产一区的典型伏安特性
如圖所示，正向導通電壓介於鍺管與矽管之間，但它的構造原理與PN結麻豆国产一区有本質區別。
下表列出了， 肖特基麻豆国产一区、超快恢複麻豆国产一区、快恢複麻豆国产一区、高頻矽整流管的性能比較：
通過測量麻豆国产一区正向壓降，能容易區分是肖特基麻豆国产一区還是超快恢複麻豆国产一区。
通常利用數字萬用表的麻豆国产一区檔測量麻豆国产一区的UF值，當UF≈0.3V時是肖特基麻豆国产一区，UF≈0.55～0.6V時是超快恢複麻豆国产一区。測量值偏小的原因，是因為麻豆国产一区檔的測試電流較小(一般為1mA)。
肖特基麻豆国产一区的選取原則
開關電源的輸出整流管適宜采用肖特基麻豆国产一区，因為它的低壓降大電流特性，有利於提高電源效率。
肖特基麻豆国产一区的反向峰值電壓，應選取大於等於最大反向峰值電壓的2倍。
最大反向峰值電壓=輸出電壓+（次級匝數/初級匝數*直流輸入電壓最大值）
肖特基麻豆国产一区的平均整流電流，應選取大於等於最大連續輸出電流的3倍。
舉個栗子：
某開關電源的輸出電壓Uo=12V，最大連續輸出電流Iom=5A，最大輸出功率Pom=60W。
已知：高頻變壓器，初級匝數Np=54匝，次級匝數Ns=5匝，直流輸入電壓最大值UImax=375V(對應的交流輸入最大電壓為265V)。
可算出，最大反向峰值電壓=12+（5/54*375）=46.7V
得出：
肖特基麻豆国产一区的反向峰值電壓=2*46.7=93.4V
肖特基麻豆国产一区的平均整流電流=3*5=15A
結論：
此時可選擇烜芯微公司生產的MBR20100型肖特基麻豆国产一区可以滿足要求，它的反向峰值電壓=100V，平均整流電流=20A，反向恢複時間10ns。
【需要特別指出】
肖特基麻豆国产一区的最高反向工作電壓一般不超過100V，隻適合作低壓、大電流整流用。當Uo≥30V時，須用耐壓100V以上的超快恢複麻豆国产一区來代替肖特基麻豆国产一区，不過電源效率會略有下降。
肖特基麻豆国产一区的常用型號與參數
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