麻豆国产一区的種類：
麻豆国产一区
形形色色的麻豆国产一区
麻豆国产一区種類有很多，因為常見的半導體材料有矽和鍺，所以麻豆国产一区從所用的半導體材料來分，可分為鍺麻豆国产一区（Ge管）和矽麻豆国产一区（Si管）。
麻豆国产一区從結構上就是一個PN結，按內部結構可以分為點接觸型麻豆国产一区、麵接觸型麻豆国产一区及平麵型麻豆国产一区。關於它們的技術工藝，請參考有關麻豆国产一区的資料，但從名稱上來講，點接觸型麻豆国产一区隻允許通過較小的電流，適用於高頻小電流電路，如收音機的檢波等。麵接觸型麻豆国产一区的PN結麵積較大，允許通過較大的電流，主要用於把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平麵型麻豆国产一区是一種特製的矽麻豆国产一区，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩定可靠，多用於開關、脈衝及高頻電路中。
根據麻豆国产一区的用途，可分為檢波麻豆国产一区、整流麻豆国产一区、穩壓麻豆国产一区、 開關麻豆国产一区、隔離麻豆国产一区、肖特基麻豆国产一区、發光麻豆国产一区、矽功率開關麻豆国产一区、旋轉麻豆国产一区等。
麻豆国产一区的導電特性：
在許多書上，一直在講麻豆国产一区的伏安特性，即麻豆国产一区兩端電壓（電壓單位為伏）與通過麻豆国产一区電流（電流的單位為安）之間的關係曲線。但是很多是純理論的知識，本站給出比較實際的解釋說明：
麻豆国产一区的伏安特性曲線
1 麻豆国产一区的正向特性：
麻豆国产一区加上正向電壓圖
當麻豆国产一区的陽極（P區）接電源的正極（高電位），麻豆国产一区的陰極（N區）接電源負極（低電位），稱為麻豆国产一区正向偏置。
設外加電壓U是可以調整的，當外加電壓小於0.5V（對於矽管）時，麻豆国产一区處於截止狀態，電路基本沒有電流。這個電壓稱為麻豆国产一区的死區電壓，對於矽管，死區電壓為0.5V，對於鍺管，死區電壓為0.1V。
當外加電壓大於死區電壓0.5V（矽管）後，麻豆国产一区正向導通，此時麻豆国产一区存在著正向壓降，對於矽管，正向壓降約為0.6V，即電阻R上電壓UL比電源電壓U小約0.6V，而用電壓表測量麻豆国产一区電壓UD約為0.6V。
當麻豆国产一区正向導通後，流過電阻R的電流為電阻端電壓UL與電阻R的比值。麻豆国产一区相當於一個閉合的開關，隻是存在著一個約0.6V的電壓降（對於矽管）。
注：鍺管的正向電壓降為0.2V－0.3V，所以，若比較電壓降，鍺管的性能比矽管好。
2 麻豆国产一区的反向特性：
麻豆国产一区加上反向電壓圖
當麻豆国产一区的陰極（N區）接電源的正極（高電位），麻豆国产一区的陽極（P區）接電源負極（低電位），稱為麻豆国产一区反向偏置。
麻豆国产一区外加反向電壓時，麻豆国产一区處於截止狀態，此時，通過電阻R隻有很小的電流，這個電流稱為漏電流，這人反向的漏電流越小越好。
當外加電壓U達到一定時，通過電阻R的電流突然增加，此時，麻豆国产一区處於擊穿狀態。這個電壓稱為反向擊穿電壓。用UBR表示。反向擊穿有兩種類型：
（1）電擊穿：PN結未損壞，斷電即恢複。
（2）熱擊穿：PN結燒毀。
電擊穿是可逆的，反向電壓降低後麻豆国产一区仍恢複正常。因此，電擊穿往往被人們所利用，如穩壓管。而熱擊穿則是電擊穿時沒有采取適當的限流措施，導致電流大，電壓高，使管子過熱造成永久性損壞。因此，工作時應避免麻豆国产一区的熱擊穿。
麻豆国产一区的主要參數
依據麻豆国产一区的工作特性和工作狀態，麻豆国产一区的主要參數有：
1 最大整流電流：當麻豆国产一区處於正向導通狀態時，允許通過的最大平均電流。在使用中，若麻豆国产一区正向導通通過的電流過大，可能造成麻豆国产一区的損壞。
2.最高反向工作電壓：指麻豆国产一区運行時允許承受的最高反向電壓。
3.反向漏電流：麻豆国产一区加上反向電壓截止時，存在的漏電電流大小。
4.最高工作頻率：此參數主要由PN 結的結電容決定，結電容越大，麻豆国产一区允許的最高工作頻率越低。
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