從廣義的講，IGBT也是三極管，是一種特殊的三極管。絕緣柵雙極晶體管（IGBT）本質上是一個場效應晶體管，隻是在漏極和漏區之間多了一個 P 型層。根據國際電工委員會的文件建議，其各部分名稱基本沿用場效應晶體管的相應命名。 其相當於相當於一個由MOSFET驅動的厚基區GTR ， Rdr是厚基區GTR的擴展電阻。IGBT是以GTR 為主導件、MOSFET 為驅動件的複合結構。

IGBT與三極管的關係看其結構圖就一目了然了，IGBT結構圖如下

IGBT結構圖

IGBT結構上類似於MOSFET ，其不同點在於IGBT 是在N溝道功率MOSFET 的N+基板（漏極）上增加了一個P+ 基板（IGBT 的集電極），形成 PN 結j1 ，並由此引出漏極、柵極和源極則完全與 MOSFET 相似。 N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+區稱為源區，附於其上的電極稱為源極。 N+ 區稱為漏區。器件的控製區為柵區，附於其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel  region ）。而在漏區另一側的 P+ 區稱為漏注入區（Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成 PNP 雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調製，以降低器件的通態電壓。附於漏注入區上的電極稱為漏極。 

為了兼顧長期以來人們的習慣， IEC 規定：源極引出的電極端子（含電極端）稱為發射極端（子），漏極引出的電極端（子）稱為集電極端（子）。這又回到雙極晶體管的術語了。但僅此而已。 

IGBT管與三極管電路符號如下：

N溝道IGBT等效電路與電氣符號

集中結構的三極管電路符號
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