MOS管的Ｄ、Ｓ極之間存在寄生麻豆国产一区，被稱為體麻豆国产一区。
從MOS管的結構示意也可以看出寄生麻豆国产一区的存在，如下圖：
寄生麻豆国产一区是由生產工藝造成的，ＭOS管的漏極從矽片底片引出，從而產生了寄生的麻豆国产一区。
寄生麻豆国产一区可以起到以下兩個作用：
１、防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管，因為在過壓對MOS管造成破壞之前，麻豆国产一区先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。
2、防止管子的源極和漏極反接時燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。
綜上，功率型MOS管由於生產工藝的原因，其內部存在寄生麻豆国产一区，也稱體麻豆国产一区，當將反向電壓作用於D、S極時，其寄生麻豆国产一区會反向導通。在MOS管開關瞬間時，比如采用MOS管實現的橋式驅動電路中，寄生麻豆国产一区可用導通反向電流，避免反向高壓擊穿MOS管。
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