功率MOSFET可分成兩類：P溝道及N溝道：中間箭頭向裏的是N溝道而箭頭向外的是P溝道。它有三個極：漏極（D）。源極（S）及柵極（G）。有一些功率MOS-FET內部在漏源極之間並接了一個麻豆国产一区或肖特基麻豆国产一区，這是在接電感負載時，防止反電勢損壞 MOSFET。這兩類MOSFET的工作原理相同，僅電源電壓控製電壓的極性相反。 

MOS場效應管 

有增強型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗盡型(Depletion)MOS或DMOS）兩大

類，每一類有N溝道和P溝道兩種導電類型。場效應管有三個電極： 

D(Drain) 稱為漏極，相當雙極型三極管的集電極； 

G(Gate) 稱為柵極，相當於雙極型三極管的基極； 

S(Source) 稱為源極，相當於雙極型三極管的發射極。 

優勢： 

1、mosfet是電壓控製型器件，因此在驅動大電流時無需推動級。電路較簡單 

2、輸入阻抗高，可達百兆Ω以上 

3、工作頻率範圍寬，開關速度高（開關時間為幾十納秒到幾百納秒），開關

損耗小 

4、有較優良的線性區，並且mosfet的輸入比雙極型的輸入電容小得多，所以

它的交流輸入阻抗極高，噪聲也小，最適合製作Hi-Fi音響 

5、功率mosfet可以多個並聯使用，增加輸出電流而無需均流。 

· 功率MOSFET都是增強型MOSFET，它具有優良的開關特性。近年來，功率MOSFET廣泛地應用於電源、計算機及外設（軟、硬盤驅動器、打印機、掃描器等）、消費類電子產品、通信裝置、汽車電子及工業控製等領域。

除少數應用於音頻功率放大器，工作於線性範圍，大多數用作開關和驅動器，工作於開關狀態，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達幾安培到幾十安培。功率MOSFET都是增強型MOSFET，它具有優良的開關特性。 

根據以上對功率 MOSFET 特性的分析,其驅動通常要求:觸發脈衝要具有足夠快的上升和下降速度;②開通時以低電阻力柵極電容充電,關斷時為柵極提供低電阻放電回路,以提高功率 MOSFET 的開關速度;③為了使功率 MOSFET 可靠觸發導通, 觸發脈衝電壓應高於管子的開啟電壓,為了防止誤導通,在其截止時應提供負的柵源電壓;④功率開關管開關時所需驅動電流為柵極電容的充放電電流,功率管極間電容越大,所需電流越大,即帶負載能力越大 
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