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電源防反接電路工作原理詳解
  • 發布時間:2021-03-24 12:02:51
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電源防反接電路工作原理詳解
1.概述
電源的輸入部分,為了防止誤操作,將電源的正負極接反,對電路造成損壞,一般會對其進行防護,如采用保險絲,麻豆国产一区,MOS管等方式。
2、防反接
2.1 麻豆国产一区防反接
電源防反接電路
采用麻豆国产一区進行保護,電路簡單,成本低,占用空間小。但是麻豆国产一区的PN結在導通時,存在一個 <=>
2.2 保險絲防護
很多常見的電子產品,拆開之後都可以看到電源部分加了保險絲,在電源接反,電路中存在短路的時候由於大電流,進而將保險絲熔斷,起到保護電路的作用,但這種方式修理更換比較麻煩。
2.3 MOS管防護
MOS管因工藝提升,自身性質等因素,其導通內阻技校,很多都是毫歐級,甚至更小,這樣對電路的壓降,功耗造成的損失特別小,甚至可以忽略不計,所以選擇MOS管對電路進行保護是比較推薦的方式。
2.3.1 NMOS防護
如下圖:上電瞬間,MOS管的寄生麻豆国产一区導通,係統形成回路,源極S的電位大約為0.6V,而柵極G的電位為Vbat,MOS管的開啟電壓極為:Ugs = Vbat - Vs,柵極表現為高電平,NMOS的ds導通,寄生麻豆国产一区被短路,係統通過NMOS的ds接入形成回路。
電源防反接電路
若電源接反,NMOS的導通電壓為0,NMOS截止,寄生麻豆国产一区反接,電路是斷開的,從而形成保護。
2.3.2 PMOS防護
如下圖:上電瞬間,MOS管的寄生麻豆国产一区導通,係統形成回路,源極S的電位大約為Vbat-0.6V,而柵極G的電位為0,MOS管的開啟電壓極為:Ugs = 0 -(Vbat-0.6),柵極表現為低電平,PMOS的ds導通,寄生麻豆国产一区被短路,係統通過PMOS的ds接入形成回路。
電源防反接電路
若電源接反,NMOS的導通電壓大於0,PMOS截止,寄生麻豆国产一区反接,電路是斷開的,從而形成保護。
注:NMOS管將ds串到負極,PMOS管ds串到正極,寄生麻豆国产一区方向朝向正確連接的電流方向;
MOS管的D極和S極的接入:通常使用N溝道的MOS管時,一般是電流由D極進入而從S極流出,PMOS則S進D出,應用在這個電路中時則正好相反,通過寄生麻豆国产一区的導通來滿足MOS管導通的電壓條件。MOS管隻要在G和S極之間建立一個合適的電壓就會完全導通。導通之後D和S之間就像是一個開關閉合了,電流是從D到S或S到D都一樣的電阻。
實際應用中,G極一般串接一個電阻,為了防止MOS管被擊穿,也可以加上穩壓麻豆国产一区。並聯在分壓電阻上的電容,有一個軟啟動的作用。在電流開始流過的瞬間,電容充電,G極的電壓逐步建立起來。
電源防反接電路
對於PMOS,相比NOMS導通需要Vgs大於閾值電壓,由於其開啟電壓可以為0,DS之間的壓差不大,比NMOS更具有優勢。
USB與電池切換設計:
當USB供電時,PMOS截止,通過麻豆国产一区輸入係統;當電池供電時,PMOS導通,下拉電阻的作用是將柵極電位穩定的拉低,確保PMOS正常開啟,防止柵極高阻抗帶來的隱患。
電源防反接電路
通過MCU的IO控製輸入—>輸出:
R3確保柵極電流不至於太大,R2上拉,截止PMOS,IO輸出控製時,穩定為低,開啟PMOS。
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