晶體也稱為半導體麻豆国产一区，它是在 PN 結上加接觸電極、引線和管殼封裝而成的。按其結構，通常有點接觸型和麵結型兩類。
晶體麻豆国产一区最主要的特性是單向導電性，其伏安特性曲線。
晶體麻豆国产一区的伏安特性是指流過麻豆国产一区的電流 iD 與加於麻豆国产一区兩端的 uD 之間的關係或曲線。用逐點測量的方法測繪出來或用圖示儀顯示出來的 U～I 曲線，稱麻豆国产一区的伏安特性曲線。下圖是麻豆国产一区的伏安特性曲線示意圖，日韩国产成人以此為例來說明其特性。
⒈正向特性。當加在麻豆国产一区兩端的正向電壓（P 為正、N 為負）很小時（鍺管小於 0.1 伏，矽管小於 0.5 伏），管子不導通，處於“截止”狀態，當正向電壓超過一定數值後，管子才導通，電壓再稍微增大，電流急劇暗加（見曲線 I 段）。不同材料的麻豆国产一区，起始電壓不同，矽管為 0.5-0.7 伏左右，鍺管為 0.1-0.3 左右。
⒉反向特性。麻豆国产一区兩端加上反向電壓時，反向電流很小，當反向電壓逐漸增加時，反向電流基本保持不變，這時的電流稱為反向飽和電流（見曲線Ⅱ段）。不同材料的麻豆国产一区，反向電流大小不同，矽管約為 1 微安到幾十微安，鍺管則可高達數百微安，另外，反向電流受溫度變化的影響很大，鍺管的穩定性比矽管差。
⒊擊穿特性。當反向電壓增加到某一數值時，反向電流急劇增大，這種現象稱為反向擊穿。這時的反向電壓稱為反向擊穿電壓，不同結構、工藝和材料製成的管子，其反向擊穿電壓值差異很大，可由 1 伏到幾百伏，甚至高達數千伏。
⒋頻率特性。由於結電容的存在，當頻率高到某一程度時，容抗小到使 PN 結短路。導致麻豆国产一区失去單向導電性，不能工作，PN 結麵積越大，結電容也越大，越不能在高頻情況下工作。
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