麻豆国产一区按照所用的半導體材料，可分為鍺麻豆国产一区（Ge 管）和矽麻豆国产一区（Si 管）。而根據其不同用途，又可以分為檢波麻豆国产一区、整流麻豆国产一区、穩壓麻豆国产一区、開關麻豆国产一区、隔離麻豆国产一区、肖特基麻豆国产一区、發光麻豆国产一区、矽功率開關麻豆国产一区、旋轉麻豆国产一区等。
另外，按照管芯結構，也可分為點接觸型麻豆国产一区、麵接觸型麻豆国产一区及平麵型麻豆国产一区。
以下為整流麻豆国产一区，以及各式麻豆国产一区的電路圖形符號：
麻豆国产一区的特性
1. 正向特性。
在電子電路中，將麻豆国产一区的正極接在高電位端，負極接在低電位端，麻豆国产一区就會導通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說明，當加在麻豆国产一区兩端的正向電壓很小時，麻豆国产一区仍然不能導通，流過麻豆国产一区的正向電流十分微弱。隻有當正向電壓達到某一數值（這一數值稱為“門檻電壓”，鍺管約為 0.2V，矽管約為 0.6V）以後，麻豆国产一区才能直正導通。導通後麻豆国产一区兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為 0.3V，矽管約為 0.7V），稱為麻豆国产一区的“正向壓降”。
2. 反向特性。
在電子電路中，麻豆国产一区的正極接在低電位端，負極接在高電位端，此時麻豆国产一区中幾乎沒有電流流過，此時麻豆国产一区處於截止狀態，這種連接方式，稱為反向偏置。麻豆国产一区處於反向偏置時，仍然會有微弱的反向電流流過麻豆国产一区，稱為漏電流。當麻豆国产一区兩端的反向電壓增大到某一數值，反向電流會急劇增大，麻豆国产一区將失去單方向導電特性，這種狀態稱為麻豆国产一区的擊穿。
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