光敏麻豆国产一区的電路圖符號為一個三角形，右側加一條豎線。在電路中常用字母“VD”來表示。
光敏麻豆国产一区，又叫做光電麻豆国产一区。是一種能夠將光根據使用方式，轉換成電流或者電壓信號的光探測器。常見的傳統太陽能電池就是通過大麵積的光電麻豆国产一区來產生電能。
光敏麻豆国产一区與常規的半導體麻豆国产一区基本相似，隻是光敏麻豆国产一区可以直接暴露在光源附近或通過透明小窗、光導纖維封裝，來允許光到達這種器件的光敏感區域來檢測光信號。許多用來設計光敏麻豆国产一区的麻豆国产一区使用了一個 PIN 結，而不是一般的 PN 結，來增加器件對信號的響應速度。光電麻豆国产一区常常被設計為工作在反向偏置狀態。
光敏麻豆国产一区的工作原理
一個光敏麻豆国产一区的基礎結構通常是一個 PN 結或者 PIN 結。當一個具有充足能量的光子衝擊到麻豆国产一区上，它將激發一個電子，從而產生自由電子（同時有一個帶正電的空穴）。這樣的機製也被稱作是內光電效應。如果光子的吸收發生在結的耗盡層，則該區域的內電場將會消除其間的屏障，使得空穴能夠向著陽極的方向運動，電子向著陰極的方向運動，於是光電流就產生了。實際的光電流是暗電流和光照產生電流的綜合，因此暗電流必須被最小化來提高器件對光的靈敏度。
1、光電壓模式
當偏置為 0 時，光敏麻豆国产一区工作在光電壓模式，這時流出光電麻豆国产一区的電流被抑製，兩端電勢差積累到一定數值。 (太陽能電池)
2、光電導模式
當工作在這一模式時，光敏麻豆国产一区常常被反向偏置，急劇的降低了其響應時間，但是噪聲不得不增加作為代價。同時，耗盡層的寬度增加，從而降低了結電容，同樣使得響應時間減少。反向偏置會造成微量的電流（飽和電流），這一電流與光電流同向。對於指定的光譜分布，光電流與入射光照度之間呈線性比例關係。
盡管這一模式響應速度快，但是它會引發更大的信號噪聲。一個良好 PIN 麻豆国产一区的泄漏電流很小（小於 1 納安），因此負載電阻的約翰遜·奈奎斯特噪聲（Johnson–Nyquist noise）會造成較大的影響。
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