本文簡單說說穩壓麻豆国产一区的工作原理，參數以及動態電阻特性。
穩壓麻豆国产一区——原理
穩壓麻豆国产一区，英文名字 Zener diode，又叫齊納麻豆国产一区，利用 PN 結反向擊穿狀態，其電流可在很大範圍內變化而電壓基本不變的現象，製成的起穩壓作用的麻豆国产一区。
此麻豆国产一区是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件。
在這臨界擊穿點上，反向電阻降低到一個很小的數值，在這個低阻區中電流增加而電壓則保持恒定，穩壓麻豆国产一区是根據擊穿電壓來分檔的，因為這種特性，穩壓管主要被作為穩壓器或電壓基準元件使用。
下麵是穩壓管常見的電路圖。
穩壓效果和限流電阻 R 有關係，在之前的文章中，有提到這一點： 三極管穩壓電路仿真分析
穩壓麻豆国产一区可以串聯起來以便在較高的電壓上使用，通過串聯就可獲得更高的穩定電壓，兩個 5V 穩壓管串聯起來，就能起到 10V 穩壓的效果。
下麵的動圖很好的說明了穩壓麻豆国产一区的工作原理。
而下麵看一看穩壓的參數，了解參數後，才能更好的進行選型。
穩壓麻豆国产一区——參數解讀
下圖是穩壓管的伏安特性曲線，你可以叫他 U-I 曲線，反應電壓和電流之間的關係。
Y 軸右側是正向曲線，左側是反向曲線，穩壓管的工作區域一般就是在左側，因為穩壓管工作原理就是 PN 結反向擊穿，正接時和一般麻豆国产一区一樣，也有正向導通電壓。
穩壓麻豆国产一区的伏安特性曲線
下圖是某一穩壓管的 SPEC 截圖，可以一起來看一看這些參數。
某一 5.1V 穩壓管參數
Vz：穩壓值，高於 Vz，電壓穩定在 Vz，低於 Vz，穩壓管不工作，電路處於開路狀態，這個參數也是最重要的。
Zzt 和 Zzk：動態電阻，單位電流變化引起的電壓的變化 dv/dt。
這個值越小，代表穩壓管性能越好，意思就是電流變化很大時，電壓變化也很小（代表穩壓值恒定不變，要的就是這個效果）。
同一個穩壓管時，這個動態電阻也是隨著電流變化而變化的，電流變化大時，動態電阻小；電流變化小時，動態電阻大。
Zzt@Izt，Izt 在 5mA 時，測試的 Zzt 最大 50 歐姆。Zzk@Izk，Izk 在 0.5mA 時，測試的 Zzk 最大 500 歐姆。
Ir@Vr：反向漏電流，指在特定的反向電壓下測試得到的電流，從 SPEC 上看，Vr=4.2V 時，Ir=5uA，這個電流很重要，穩壓管沒進穩壓狀態也就是沒工作時消耗的電流，Ir 越小越好。
Vf@If：正向電壓，指在特定的正向電流下測試得到的正向電壓，一般正向電流不同，測試得到的正向電壓也不同，If=100mA 時，Vf=1.25V。
Pd：耗散功率，流進穩壓管的功率不能超過這個值，否則會損壞穩壓管，公式 Pd=I*Vz。
下麵再來看一下麻豆国产一区的動態電阻特性。
穩壓麻豆国产一区——動態電阻
麻豆国产一区的正向導通電阻在小電流時比較大，在大電流時比較小。
麻豆国产一区的反向動態電阻在擊穿前很大，在擊穿後動態電阻很小，穩壓麻豆国产一区就是利用擊穿時動態電阻很小進行穩壓的。
麻豆国产一区的正向導通電阻小，反向導通電阻大，意味著正向導通性能好，反向漏電流小，這種麻豆国产一区是比較好的。
如果動態電阻大，則 dv 變化很大時，di 才有很小的變化，起到恒流的作用，利用這一特性，有恒流麻豆国产一区和恒流三極管。
恒流麻豆国产一区英文 CRD（Current Regulative Diode），可以再看看 CRD 的伏安特性曲線。
在下圖中可以看到：在電流為 Ip 對應的橫坐標電壓以後，電流都是恒定不變的，因為動態電阻大，在一定變化範圍內，電壓都是幾乎不變的，直到麻豆国产一区被擊穿。
恒流麻豆国产一区的伏安特性曲線
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