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MOS管驅動基礎與時間功耗計算
  • 發布時間:2021-05-07 14:39:46
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MOS管驅動基礎與時間功耗計算
日韩国产成人先來看看MOS關模型:
MOS管驅動
Cgs:由源極和溝道區域重疊的電極形成的,其電容值是由實際區域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd:是兩個不同作用的結果。第一JFET區域和門電極的重疊,第二是
耗盡區電容(非線性)。等效的Cgd電容是一個Vds電壓的函數。
Cds:也是非線性的電容,它是體麻豆国产一区的結電容,也是和電壓相關的。
這些電容都是由Spec上麵的Crss,Ciss和Coss決定的。
由於Cgd同時在輸入和輸出,因此等效值由於Vds電壓要比原來大很多,這個稱為米勒效應。
由於SPEC上麵的值按照特定的條件下測試得到的,日韩国产成人在實際應用的時候需要修改Cgd的值。
MOS管驅動
開啟和關斷的過程分析:
MOS管驅動
功耗的計算:
MOSFET 驅動器的功耗包含三部分:
1. 由於MOSFET柵極電容充電和放電產生的功耗。
與MOSFET柵極電容充電和放電有關。這部分功耗通常是最高的,特別在很低的開關頻率時。
2. 由於MOSFET 驅動器吸收靜態電流而產生的功耗。
高電平時和低電平時的靜態功耗。
3. MOSFET 驅動器交越導通(穿通)電流產生的功耗。
由於MOSFET 驅動器交越導通而產生的功耗,通常這也被稱為穿通。這是由於輸出驅動級的P溝道和N 溝道場效應管(FET)在其導通和截止狀態之間切換時同時導通而引起的。
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