電子電路中麻豆国产一区的作用非常之強大，看懂電路首先要了解電路中各類電子元件所起到的作用，以下是麻豆国产一区的學習資料，分享一下
麻豆国产一区種類與作用
一、根據構造分類
半導體麻豆国产一区主要是依靠PN結而工作的。與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的麻豆国产一区的範圍內。包括這兩種型號在內，根據PN結構造麵的特點，把晶體麻豆国产一区分類如下：
1、點接觸型麻豆国产一区
點接觸型麻豆国产一区是在鍺或矽材料的單晶片上壓觸一根金屬針後，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用於高頻電路。但是，與麵結型相比較，點接觸型麻豆国产一区正向特性和反向特性都差，因此，不能使用於大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。對於小信號的檢波、整流、調製、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用範圍較廣的類型。
2、鍵型麻豆国产一区
鍵型麻豆国产一区是在鍺或矽的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介於點接觸型麻豆国产一区和合金型麻豆国产一区之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型麻豆国产一区的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優良。多作開關用，有時也被應用於檢波和電源整流（不大於50mA）。在鍵型麻豆国产一区中，熔接金絲的麻豆国产一区有時被稱金鍵型，熔接銀絲的麻豆国产一区有時被稱為銀鍵型。
3、合金型麻豆国产一区
在N型鍺或矽的單晶片上，通過合金鋼、鋁等金屬的方法製作PN結而形成的。正向電壓降小，適於大電流整流。因其PN結反向時靜電容量大，所以不適於高頻檢波和高頻整流。
4、擴散型麻豆国产一区
在高溫的P型雜質氣體中，加熱N型鍺或矽的單晶片，使單晶片表麵的一部變成P型，以此法PN結。因PN結正向電壓降小，適用於大電流整流。最近，使用大電流整流器的主流已由矽合金型轉移到矽擴散型。
5、台麵型麻豆国产一区
PN結的製作方法雖然與擴散型相同，但是，隻保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩餘的部分便呈現出台麵形，因而得名。初期生產的台麵型，是對半導體材料使用擴散法而製成的。因此，又把這種台麵型稱為擴散台麵型。對於這一類型來說，似乎大電流整流用的產品型號很少，而小電流開關用的產品型號卻很多。
6、平麵型麻豆国产一区
在半導體單晶片（主要地是N型矽單晶片）上，擴散P型雜質，利用矽片表麵氧化膜的屏蔽作用，在N型矽單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結麵積的藥品腐蝕作用。由於半導體表麵被製作得平整，故而得名。並且，PN結合的表麵，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。最初，對於被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平麵型稱為外延平麵型。對平麵型麻豆国产一区而言，似乎使用於大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。
7、合金擴散型麻豆国产一区
它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以製作的材料通過巧妙地摻配雜質，就能與合金一起過擴散，以便在已經形成的PN結中獲得雜質的恰當的濃度分布。此法適用於製造高靈敏度的變容麻豆国产一区。
8、外延型麻豆国产一区
用外延麵長的過程製造PN結而形成的麻豆国产一区。製造時需要非常高超的技術。因能隨意地控製雜質的不同濃度的分布，故適宜於製造高靈敏度的變容麻豆国产一区。
9、肖特基麻豆国产一区
基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型矽片）的接觸麵上，用己形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度隻有40V左右。其特長是：開關速度非常快：反向恢複時間trr特別地短。因此，能製作開關二極和低壓大電流整流麻豆国产一区。
二、根據用途分類1、檢波用麻豆国产一区
就原理而言，從輸入信號中取出調製信號是檢波，以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流小於100mA的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz，正向壓降小，結電容小，檢波效率高，頻率特性好，為2AP型。類似點觸型那樣檢波用的麻豆国产一区，除用於檢波外，還能夠用於限幅、削波、調製、混頻、開關等電路。也有為調頻檢波專用的特性一致性好的兩隻麻豆国产一区組合件。
2、整流用麻豆国产一区
就原理而言，從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流大於100mA的叫整流。麵結型，工作頻率小於KHz，最高反向電壓從25伏至3000伏分A~X共22檔。分類如下：①矽半導體整流麻豆国产一区2CZ型、②矽橋式整流器QL型、③用於電視機高壓矽堆工作頻率近100KHz的2CLG型。
3、限幅用麻豆国产一区
大多數麻豆国产一区能作為限幅使用。也有象保護儀表用和高頻齊納管那樣的專用限幅麻豆国产一区。為了使這些麻豆国产一区具有特別強的限製尖銳振幅的作用，通常使用矽材料製造的麻豆国产一区。也有這樣的組件出售：依據限製電壓需要，把若幹個必要的整流麻豆国产一区串聯起來形成一個整體。
4、調製用麻豆国产一区
通常指的是環形調製專用的麻豆国产一区。就是正向特性一致性好的四個麻豆国产一区的組合件。即使其它變容麻豆国产一区也有調製用途，但它們通常是直接作為調頻用。
5、混頻用麻豆国产一区
使用麻豆国产一区混頻方式時，在500~10，000Hz的頻率範圍內，多采用肖特基型和點接觸型麻豆国产一区。
6、放大用麻豆国产一区
用麻豆国产一区放大，大致有依靠隧道麻豆国产一区和體效應麻豆国产一区那樣的負阻性器件的放大，以及用變容麻豆国产一区的參量放大。因此，放大用麻豆国产一区通常是指隧道麻豆国产一区、體效應麻豆国产一区和變容麻豆国产一区。
7、開關用麻豆国产一区
有在小電流下（10mA程度）使用的邏輯運算和在數百毫安下使用的磁芯激勵用開關麻豆国产一区。小電流的開關麻豆国产一区通常有點接觸型和鍵型等麻豆国产一区，也有在高溫下還可能工作的矽擴散型、台麵型和平麵型麻豆国产一区。開關麻豆国产一区的特長是開關速度快。而肖特基型麻豆国产一区的開關時間特短，因而是理想的開關麻豆国产一区。2AK型點接觸為中速開關電路用；2CK型平麵接觸為高速開關電路用；用於開關、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）矽大電流開關，正向壓降小，速度快、效率高。
7、開關用麻豆国产一区
有在小電流下（10mA程度）使用的邏輯運算和在數百毫安下使用的磁芯激勵用開關麻豆国产一区。小電流的開關麻豆国产一区通常有點接觸型和鍵型等麻豆国产一区，也有在高溫下還可能工作的矽擴散型、台麵型和平麵型麻豆国产一区。開關麻豆国产一区的特長是開關速度快。而肖特基型麻豆国产一区的開關時間特短，因而是理想的開關麻豆国产一区。2AK型點接觸為中速開關電路用；2CK型平麵接觸為高速開關電路用；用於開關、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）矽大電流開關，正向壓降小，速度快、效率高。
8、變容麻豆国产一区
用於自動頻率控製（AFC）和調諧用的小功率麻豆国产一区稱變容麻豆国产一区。日本廠商方麵也有其它許多叫法。通過施加反向電壓， 使其PN結的靜電容量發生變化。因此，被使用於自動頻率控製、掃描振蕩、調頻和調諧等用途。通常，雖然是采用矽的擴散型麻豆国产一区，但是也可采用合金擴散型、外延結合型、雙重擴散型等特殊製作的麻豆国产一区，因為這些麻豆国产一区對於電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。結電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調諧回路、振蕩電路、鎖相環路，常用於電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路，多以矽材料製作。
9、頻率倍增用麻豆国产一区
對麻豆国产一区的頻率倍增作用而言，有依靠變容麻豆国产一区的頻率倍增和依靠階躍（即急變）麻豆国产一区的頻率倍增。頻率倍增用的變容麻豆国产一区稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控製用的變容麻豆国产一区的工作原理相同，但電抗器的構造卻能承受大功率。階躍麻豆国产一区又被稱為階躍恢複麻豆国产一区，從導通切換到關閉時的反向恢複時間trr短，因此，其特長是急速地變成關閉的轉移時間顯著地短。如果對階躍麻豆国产一区施加正弦波，那麽，因tt（轉移時間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產生很多高頻諧波。
10、穩壓麻豆国产一区
是代替穩壓電子麻豆国产一区的產品。被製作成為矽的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的麻豆国产一区。作為控製電壓和標準電壓使用而製作的。麻豆国产一区工作時的端電壓（又稱齊納電壓）從3V左右到150V，按每隔10%，能劃分成許多等級。在功率方麵，也有從200mW至100W以上的產品。工作在反向擊穿狀態，矽材料製作，動態電阻RZ很小，一般為2CW型；將兩個互補麻豆国产一区反向串接以減少溫度係數則為2DW型。
11、PIN型麻豆国产一区（PIN Diode）
這是在P區和N區之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質的半導體）構造的晶體麻豆国产一区。PIN中的I是"本征"意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時，由於少數載流子的存貯效應和"本征"層中的渡越時間效應，其麻豆国产一区失去整流作用而變成阻抗元件，並且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，"本征"區的阻抗很高；在直流正向偏置時，由於載流子注入"本征"區，而使"本征"區呈現出低阻抗狀態。因此，可以把PIN麻豆国产一区作為可變阻抗元件使用。它常被應用於高頻開關（即微波開關）、移相、調製、限幅等電路中。
12、 雪崩麻豆国产一区 (Avalanche Diode)
它是在外加電壓作用下可以產生高頻振蕩的晶體管。產生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯後於電壓，出現延遲時間，若適當地控製渡越時間，那麽，在電流和電壓關係上就會出現負阻效應，從而產生高頻振蕩。它常被應用於微波領域的振蕩電路中。
13、江崎麻豆国产一区 （Tunnel Diode）
它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體麻豆国产一区。其基底材料是砷化镓和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡並態半導體的量子力學效應所產生。發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位於導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡並半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎麻豆国产一区為雙端子有源器件。其主要參數有峰穀電流比（IP／PV），其中，下標"P"代表"峰"；而下標"V"代表"穀"。江崎麻豆国产一区可以被應用於低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用於高速開關電路中。
14、快速關斷（階躍恢複）麻豆国产一区 (Step Recovary Diode
)它也是一種具有PN結的麻豆国产一区。其結構上的特點是：在PN結邊界處具有陡峭的雜質分布區，從而形成"自助電場"。由於PN結在正向偏壓下，以少數載流子導電，並在PN結附近具有電荷存貯效應，使其反向電流需要經曆一個"存貯時間"後才能降至最小值（反向飽和電流值）。階躍恢複麻豆国产一区的"自助電場"縮短了存貯時間，使反向電流快速截止，並產生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發生電路。快速關斷（階躍恢複）麻豆国产一区用於脈衝和高次諧波電路中。
15、肖特基麻豆国产一区 （Schottky Barrier Diode）
它是具有肖特基特性的"金屬半導體結"的麻豆国产一区。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用矽或砷化镓，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由於肖特基麻豆国产一区中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限製，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。並且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基麻豆国产一区可以用來製作太陽能電池或發光麻豆国产一区。
16、阻尼麻豆国产一区
具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流麻豆国产一区，用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。
17、瞬變電壓抑製麻豆国产一区 TVP管，對電路進行快速過壓保護，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率（500W－5000W）和電壓（8.2V～200V）分類。
18、雙基極麻豆国产一区（單結晶體管） 兩個基極，一個發射極的三端負阻器件，用於張馳振蕩電路，定時電壓讀出電路中，它具有頻率易調、溫度穩定性好等優點。
19、發光麻豆国产一区
用磷化镓、磷砷化镓材料製成，體積小，正向驅動發光。工作電壓低，工作電流小，發光均勻、壽命長、可發紅、黃、綠單色光。
三、根據特性分類
點接觸型麻豆国产一区，按正向和反向特性分類如下。
1、一般用點接觸型麻豆国产一区
這種麻豆国产一区正如標題所說的那樣，通常被使用於檢波和整流電路中，是正向和反向特性既不特別好，也不特別壞的中間產品。如：SD34、SD46、1N34A等等屬於這一類。
2、高反向耐壓點接觸型麻豆国产一区
是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的產品。使用於高壓電路的檢波和整流。這種型號的麻豆国产一区一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺麻豆国产一区中，有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料麻豆国产一区，其耐壓受到限製。要求更高時有矽合金和擴散型。
3、高反向電阻點接觸型麻豆国产一区
正向電壓特性和一般用麻豆国产一区相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長是反向電阻高。使用於高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型麻豆国产一区而言，SD54、1N54A等等屬於這類麻豆国产一区。
4、高傳導點接觸型麻豆国产一区
它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導點接觸型麻豆国产一区而言，有SD56、1N56A等等。對高傳導鍵型麻豆国产一区而言，能夠得到更優良的特性。這類麻豆国产一区，在負荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。
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