一、穩壓麻豆国产一区原理
穩壓麻豆国产一区，英文名：Zener diode，又叫齊納麻豆国产一区，是一種用特殊工藝製造而成的麵結型矽半導體麻豆国产一区，它的外形、內部結構與普通麻豆国产一区相似。穩壓麻豆国产一区伏安特性曲線的正向特性和普通麻豆国产一区差不多，反向特性是在反向電壓低於反向擊穿電壓時，反向電阻很大，反向漏電流極小。但是，當反向電壓臨近反向電壓的臨界值時，反向電流驟然增大，稱為擊穿，在這一臨界擊穿點上，反向電阻驟然降至很小值。盡管電流在很大的範圍內變化，而麻豆国产一区兩端的電壓卻基本上穩定在擊穿電壓附近，從而實現了麻豆国产一区的穩壓功能。
穩壓麻豆国产一区，根據額定功耗分，有：
1）1W：1N4728A-Z1330A（DO-41封裝）、SMA4728A-SZ1330A（SMA/DO-214AC封裝）、SML4728A-SMZ1330A（SOD-123）；
2）1.5W：1N5919B-1N5956B（DO-41封裝）、SMA5919B-SMA5956B（SMA/DO-214AC封裝）；
3）2W：2EZ5.6D5-2EZ330D5（DO-15封裝）、SMB2EZ5.6D5-SMB2EZ330D5（SMB/DO-214AA封裝）；
4）3W：3EZ5.6D5-3EZ200D5（DO-15封裝）、SMB3EZ5.6D5- SMB3EZ200D5（SMB/DO-214AA封裝）；
5）5W：1N5338B-1N5388B（DO-201封裝）、SMC5338B-SMC5388B（SMC/DO-214AB封裝）；
穩壓管的伏安特性、符號和動態電阻
二、穩壓麻豆国产一区特性
穩壓麻豆国产一区在被反向擊穿後，盡管流過穩壓管的反向擊穿電流變化很大，但兩端的電壓卻幾乎不變。日韩国产成人也常常用它這一特性來進行穩壓，以獲得基準電壓和用作電平轉移。
三、穩壓麻豆国产一区參數
• UZ—穩定電壓：指穩壓麻豆国产一区通過額定電流時兩端產生的穩定電壓值。該值隨工作電流和溫度的不同而略有改變。由於製造工藝的差別，同一型號穩壓管的穩壓值也不完全一致。
• IZT—額定電流：指穩壓麻豆国产一区產生穩定電壓時通過的電流值。低於額定電流時，雖然也能穩壓，但穩壓效果會變差；高於額定電流時，隻要不超過額定功率損耗，也是允許的，而且穩壓性能會好一些，但要多消耗電能。
• RZJ—動態電阻：指穩壓麻豆国产一区兩端電壓變化與電流變化的比值。該比值隨工作電流的不同而改變，一般是工作電流愈大，動態電阻則愈小。
• PZ—額定功耗：由芯片允許溫升決定，其數值為穩定電壓Vz和允許最大電流Izm的乘積。
• CTV—溫度係數：如果穩壓麻豆国产一区的溫度發生變化了，它的穩定電壓也會發生微小變化，溫度變化1℃所引起管子兩端電壓的相對變化量即是溫度係數（單位：﹪/℃）。
• IR—反向漏電流：指穩壓麻豆国产一区在規定的反向電壓下產生的漏電流。
穩壓麻豆国产一区
四、穩壓麻豆国产一区選型原則
1）穩壓麻豆国产一区的穩壓值離散性很大，即使同一廠家同一型號產品，其穩定電壓值也不完全一樣，這一點在選用時應加以注意。對要求較高的電路，選用前應對穩壓值進行檢測。
2）對於過電壓保護的穩壓麻豆国产一区，其穩定電壓的選定要依據保護電壓的大小選用，其穩定電壓值不能選的過大或過小，否則起不到電壓保護的作用。
3）在選用穩壓麻豆国产一区時，除了要注意穩定電壓、最大工作電流等參數外，還要注意選用動態電阻較小的穩壓麻豆国产一区，因為動態電阻越小，穩壓性能越好。
4）使用穩壓管時應注意，麻豆国产一区的反向電流不能無限增大，否則會導致麻豆国产一区的過熱損壞。因此，穩壓管在電路中一般需要串聯限流電阻。
5）選用穩壓麻豆国产一区時，要根據具體電子電路來考慮，簡單的並聯穩壓電源，輸出電壓就是穩壓麻豆国产一区的穩定電壓。
五、穩壓麻豆国产一区典型應用
穩壓麻豆国产一区具有穩壓作用，廣泛應用於在穩壓電源、電子點火器、直流電平平移、限幅電路、過壓保護電路、補償電路等當中。
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