麻豆国产一区（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，隻允許電流由單一方向流過。許多的使用是應用其整流的功能。而變容麻豆国产一区（Varicap Diode）則用來當作電子式的可調電容器。
大部分麻豆国产一区所具備的電流方向性，通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。麻豆国产一区最普遍的功能就是隻允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，麻豆国产一区可以想成電子版的逆止閥。然而實際上麻豆国产一区並不會表現出如此完美的開與關的方向性，而是較為複雜的非線性電子特征——這是由特定類型的麻豆国产一区技術決定的。麻豆国产一区使用上除了用做開關的方式之外還有很多其他的功能。
早期的麻豆国产一区包含“貓須晶體（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英國稱為“熱遊離閥（Thermionic Valves）”)。現今最普遍的麻豆国产一区大多是使用半導體材料如矽或鍺。
1、正向性
外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使麻豆国产一区導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大於死區電壓以後，PN結內電場被克服，麻豆国产一区正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流範圍內，導通時麻豆国产一区的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為麻豆国产一区的正向電壓。
2、反向性
外加反向電壓不超過一定範圍時，通過麻豆国产一区的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由於反向電流很小，麻豆国产一区處於截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，麻豆国产一区的反向飽和電流受溫度影響很大。
3、擊穿
外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為麻豆国产一区反向擊穿電壓。電擊穿時麻豆国产一区失去單向導電性。如果麻豆国产一区沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被永久破壞，在撤除外加電壓後，其性能仍可恢複，否則麻豆国产一区就損壞了。因而使用時應避免麻豆国产一区外加的反向電壓過高。
麻豆国产一区是一種具有單向導電的二端器件，有電子麻豆国产一区和晶體麻豆国产一区之分，電子麻豆国产一区現已很少見到，比較常見和常用的多是晶體麻豆国产一区。麻豆国产一区的單向導電特性，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體麻豆国产一区，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之一，其應用也非常廣泛。
麻豆国产一区的管壓降：矽麻豆国产一区（不發光類型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V，發光麻豆国产一区正向管壓降會隨不同發光顏色而不同。主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發光麻豆国产一区的壓降為2.0--2.2V，黃色發光麻豆国产一区的壓降為1.8—2.0V，綠色發光麻豆国产一区的壓降為3.0—3.2V，正常發光時的額定電流約為20mA。
麻豆国产一区的電壓與電流不是線性關係，所以在將不同的麻豆国产一区並聯的時候要接相適應的電阻。
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